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长江存储加速128层QLC闪存量产 国产设备已占14%
从32层闪存小试牛刀，到64层闪存担纲主力，再到今年4月份宣布128寸QLC闪存，长江存储的国产闪存事业已经节节升高。伴随着产能的增长，长江存储也不断加大国产半导体设备的采购，目前释放的订单中
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三星发现全新半导体材料：内存、闪存迎来革命
三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动
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TLC闪存扛不住要降价：SSD迎来新的入手好时机
来自Digitimes的最新报道称，尽管整体来看，整个三季度的闪存价格预计保持平稳，但TLC（3bit/cell）芯片则面临越来越大的下行压力，这主要源自消费需求的放缓。由于SLC/MLC颗粒造价高、容量密
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闪存33年来最大革命 铠侠提晶圆级SSD新技术
东芝是NAND闪存的发明人，1987年推出了全球首个NAND芯片，迄今已经33年了。如今继承东芝衣钵的是铠侠存储，他们提出了一种大胆的SSD技术——晶圆级SSD，不再需要做什么外壳、PCB、接口
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唯一坚持MLC闪存！三星980 PRO PCIe 4.0 SSD韩国过审
PCIe 4.0 SSD已经多如牛毛，但说到闪存，清一色都是TLC，而很多人念念不忘的MLC已经几乎绝迹。如果你实在需要MLC，可以等等三星980 PRO，因为它是如今几乎唯一硕果仅存的消费级MLC SSD。三星9
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QLC、PLC闪存有多惨 最快35次写完 不过别怕.....
SSD硬盘现在已经开始从TLC闪存向着QLC闪存升级，未来很快还会升级到PLC，容量还会增加，但是代价就是写入寿命越来越低。从行业报告来看，PLC闪存的P/E寿命最短只有35次。我们都知道NAND闪存的
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外媒：索尼微软新品推动 游戏主机闪存需求三季度将回升
6月17日消息，据国外媒体报道，在索尼和微软将推出的新一代游戏机的推动下，游戏主机对闪存的需求也将增加，产业链人士预计游戏主机对闪存的需求在今年三季度将回升。索尼新一代游戏主机PS5产业链人士表示，索尼和微软将推出的下一代游戏主机，高速和大容量的固态硬盘是一大特色，而NAND闪存又是固态硬盘所必须的，因而也将拉升对NAND闪存的需求。索尼的下一代游戏主机将是备受关注的PS5，索尼已在当地时间6月11日展示
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罕见MLC闪存！三星980 PRO PCIe 4.0 SSD两个月内见
无论是在消费级市场，还是数据中心领域，PCIe 4.0 SSD产品都已经相当丰富，而作为SSD界杠把子的三星电子，早在年初CES 2020上就展示了自己的首款消费级PCIe 4.0 SSD 980 PRO，半年过去了却迟迟没
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三星神秘870 QVO SSD上架：8TB 6400元、QLC闪存
TLC是目前最普及的NAND闪存规格，不管大家是否接受，下一站就是QLC，产品也正在陆续增多。今天，美国亚马逊突然上架了三星870 QVO系列新品SSD，虽然没有明确标注，但从各方面就是QLC闪存
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PS5用上最强主机SSD硬盘 闪存厂商大喜日子来了
索尼今天宣布，原定延期发布的PS5将在6月12日正式推出。除了AMD定制芯片，PS5最明显的变化其实是SSD硬盘，5GB/s的速度是主机中最强的，这也会推动全球闪存行业需求大涨5%。在新一代主机的机能
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TLC、QLC闪存 谁更好？微星科普：游戏本不用QLC
自从QLC闪存在过去一两年量产并上市之后，主流玩家的选择不是TLC就是QLC闪存了，这两种闪存谁好谁坏也争了很久了。微星今天也来科普TLC与QLC闪存了，最后他们承诺游戏本全线使用TLC闪存。微星
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三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线
据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资 8 万亿韩元(约合人民币 466 亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。
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NAND闪存合约价格三季度将持平 此前预计二季度环比上涨15%
5 月 23 日消息，据国外媒体报道，由于需求较为稳定，外媒预计NAND闪存芯片的合约价格，在2020年三季度将与二季度持平。
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继承东芝存储衣钵：铠侠闪存和固态硬盘发展
即便抛开手机和电脑，当代人的一生依然离不开闪存。这项东芝在上世纪 80 年代的发明已经成为举足轻重的电子元件。现在，KIOXIA铠侠已经继承东芝存储器的衣钵，并将其继续发扬光大。NOR闪存和NAND闪存我们平时讨论的闪存通常是指 1987 年问世的NAND型号闪存，NOR型闪存问世于更早的 1984 年。当时闪存并非唯一的电子存储器，在此之前还有EPROM和EERPOM等类似元件， NOR闪存也属于广义上的EEPROM（电可擦编程只读存储器），但NOR闪存
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骁龙865+UFS 3.1闪存还省电 魅族17核心参数公布
具体来说，骁龙 865 由一颗超级核心+三颗性能核心+四颗效率核心组成，其中超级核心和性能核心基于Cortex A77 架构打造，最高主频分别为2.84GHz和2.4GHz，效率核心基于ARM Cortex A55 架构打造，主频为1.8GHz。
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Redmi Note 8 Pro降价：UFS 2.1闪存+NFC到手价1199元
Redmi Note 8 Pro首发联发科Helio G90T芯片，小米集团中国区总裁、Redmi品牌总经理卢伟冰科普，联发科G90 系列CPU双大核采用先进的A76 架构，GPU为四核Mali-G76，高性能版本G90T的图形主频高达800MHz。
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SSD、闪存价格持续上涨，预计2020年第三季度会有所调整
据产业链透露，NAND闪存生产厂把2020年全年的闪存产量增长预测下调至30%，而且OEM客户担心病毒会影响闪存的生产所以加大了库存，即便如此恐慌等因素，还是让今年第一季度NAND闪存均价上涨5%。
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Redmi K30 Pro参数公布：865+LPDDR5内存+UFS3.1闪存
官方揭秘，Redmi K30 Pro全系搭载高通骁龙 865 旗舰平台，配备LPDDR5 内存及UFS 3. 1 闪存，这是小米系首款UFS 3. 1 旗舰(PS：小米 10 为UFS 3. 0 闪存)。
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米10 Pro用户羡慕 Redmi K30 Pro用上UFS 3.1闪存：更快/更省电
Redmi K30 Pro将于 3 月 24 日发布，现在有关该机的细节陆续揭晓。
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三星宣布已大规模生产512GB eUFS 3.1闪存 写入速度比上一代快3倍
据外媒报道，三星电子宣布该公司已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存(eUFS) 3.1。
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黑鲨游戏手机3详细配置信息：6.67寸AMOLED屏幕，全系UFS3. 0高速闪存
3月3日晚，黑鲨游戏手机3正式发布，黑鲨3公布了其主要的手机配置信息，除了cpu采用骁龙865处理器，最高支持12GB LPDDR5运存之外，在散热、屏幕、网络等方面也进行了详细介绍。
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面向5G 华为发布OceanStor系列存储方案：内置AI芯片全闪存
日前华为发布了OceanStor系列存储解决方案，该方案是面向运营商和企业用户在5G时代将迎来海量数据爆发式增长的需求开发。华为称，随着5G时代的到来，数据的产生和传播变得更为容易，预计运营商业务压力会增长 10 倍以上。
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外媒：NAND闪存四季度出货量环比增长近10% 营收增至125.5亿美元
据国外媒体报道，NAND闪存芯片去年第四季度的出货量环比有明显增长，整体行业的营收也有提升。
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UFS 3.0+HBP技术优化 realme X50 Pro闪存比竞品更快
2月21日消息，realme社交媒体总监@宋琪Aric晒出了realme X50 Pro闪存跑分，其顺序读取速度达到了1775.62MB/s，比竞品UFS 3.0闪存更快（竞品是1483.46MB/s）。
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realme X50 Pro闪存成绩亮相 比小米10强或是UFS 3.1？
此前，realme官微宣布，将在 2 月 24 日下午 5 点举办的发布会上推出realme X50 Pro手机。截止目前为止，realme官方陆续公布了这款手机的处理器型号和其他一些参数。 2 月 21 日，有微博网友曝出了realme X50 Pro的闪存跑分情况，得分很高，十分令人期待。
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爆料称iQOO 3 5G将于2月25日在印度发布：骁龙865+UFS3.1闪存、保留耳机孔
一大波骁龙 865 新机选择本月登场，包括三星Galaxy S20 系列、小米 10 系列、OPPO Find X2、努比亚红魔5G游戏手机、realme X50 Pro、iQOO 3 5G等。
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不止首发UFS3.1闪存 iQOO 3 5G公布：3.5耳机孔/矩阵相机
本月一大波骁龙 865 新机即将登场，像三星Galaxy S20 系列、小米 10 系列、OPPO Find X2 系列、努比亚红魔5G游戏手机、realme X50 Pro、iQOO 3 5G等等。
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常程晒小米10 Pro UFS 3.0闪存速度：意外确认屏内开孔外形
小米10 Pro的外形到底是否如传言那样，采用左上角屏内开孔摄像头，小米副总裁常程在微博给出了答案。
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iQOO 3首发UFS 3.1闪存：供应链已成熟 非PPT
iQOO首发UFS 3. 1 闪存。2 月 8 日消息，iQOO手机宣布新旗舰iQOO3 将搭载UFS 3. 1 闪存(全球首发)，本月正式亮相。
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大容量用户纠结 iPhone 7闪存依旧分TLC与MLC两种
iPhone手机使用TLC闪存已经没啥可说的，iPhone 6时代就开始了，还一度引发很大的争议，而如今固态硬盘上都遍地TLC(突然再看到个MLC的还很稀奇)，iPhone 7继续使用TLC没啥可奇怪的。根据iFixit的拆解，iPhone 7 Plus 128GB上使用的就是TLC闪存，来自东芝，15nm工艺制造，最直接证据就是编号THGBX6T0T8LLFXF：T0表示1Tb也就是128GB，之后的T就代表TLC。TLC闪存的性能、寿命都不如MLC，但是成本低得多，而且寿命只是个相对问题，TLC满
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