11.11云上盛惠!海量产品 · 轻松上云!云服务器首年1.8折起,买1年送3个月!超值优惠,性能稳定,让您的云端之旅更加畅享。快来腾讯云选购吧!
GF(格芯)退出7nm研发后,金字塔尖的先进制程工艺争夺主要围绕台积电、Intel、三星开展。最新消息称,三星已经重修了工艺路线图,取消了此前用于过渡的4nm,在5nm为FinFET(鳍式场效应晶体管
1月6日据《韩国经济》报道,三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片,基于全栅极(GAAFET)技术。与三星自家使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比,3nm芯片的总硅片面积减少35%,功耗降低50%,性能提高30%。一年前,三星就开始进行3nm GAAFET工艺的研发,最初计划于 2021 年开始量产。目前在圆晶代工领域,三星最大的竞争对手是台积电,台积电今年有望继续拿下华为和苹果两大重要客户的芯片订单。