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三星发布首款3nm GAAFET芯片,比5nm功耗降低50%,性能提高30%

2020-01-06 15:00 · 稿源:站长快讯

1月6日据《韩国经济》报道,三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片,基于全栅极(GAAFET)技术。与三星自家使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比,3nm芯片的总硅片面积减少35%,功耗降低50%,性能提高30%。一年前,三星就开始进行3nm GAAFET工艺的研发,最初计划于 2021 年开始量产。目前在圆晶代工领域,三星最大的竞争对手是台积电,台积电今年有望继续拿下华为和苹果两大重要客户的芯片订单。

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