首页 > 快讯 > 关键词 > 三星最新资讯 > 正文

三星发布首款3nm GAAFET芯片,比5nm功耗降低50%,性能提高30%

2020-01-06 15:00 · 稿源:站长快讯

1月6日据《韩国经济》报道,三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片,基于全栅极(GAAFET)技术。与三星自家使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比,3nm芯片的总硅片面积减少35%,功耗降低50%,性能提高30%。一年前,三星就开始进行3nm GAAFET工艺的研发,最初计划于 2021 年开始量产。目前在圆晶代工领域,三星最大的竞争对手是台积电,台积电今年有望继续拿下华为和苹果两大重要客户的芯片订单。

  • 相关推荐
  • 大家在看
  • 外媒:台积电英特尔5nm及3nm CPU合作计划正在推进

    7月28日消息,据国外媒体报道,在周一的报道中,外媒报道称考虑将芯片交由第三方代工的芯片巨头英特尔,已经将2021年6nm芯片代工订单交由芯片代工商台积电,而从最新的报道来看,台积电还有望获得英特尔5nm及3nm CPU的代工订单。从外媒的报道来看,英特尔交由台积电的是即将推出的Ponte Vecchio GPU,采用台积电成本稍低的6nm工艺,交付给台积电的是18万晶圆的代工订单。外媒在报道中表示,英特尔交给台积电的18万片晶

  • 台媒:台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术

    【TechWeb】7月13日消息,据台湾媒体报道,台积电冲刺先进制程,在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。台积电台媒称,三星已决定在3nm率先导入GAA技术,并宣称要到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入2nm研发,并获得技术重大突破,成功找到切入GAA路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢

  • 台积电或于明年试产3nm制程工艺芯片 此前成全球第一

    此前,台积电市值达到 3130 亿美元,一跃成为全球最大半导体公司。 7 月 20 日,据PhoneArena报道,台积电将于明年开始进行3nm工艺节点的风险生产。据介绍,台积电虽已成为全球最大的半导体生产企业,拥有着高超的生产技术,但是其并没有放慢对更先进技术的开发。

  • 台积电3nm工艺计划明年风险试产 有望提前大规模量产

    7月30日消息,据国外媒体报道,在5nm芯片制程工艺二季度量产之后,台积电下一步的工艺重点就将是更先进的3nm工艺,这一工艺有望先于他们的预期大规模量产。在二季度的财报分析师电话会议上,台积电CEO魏哲家再一次谈到了3nm工艺,重申进展顺利,计划在2021年风险试产,2022年下半年大规模量产。但参考台积电5nm工艺的风险量产时间与大规模量产时间,他们3nm工艺的大规模量产时间,有望提前,先于他们的预期。从此前魏?

  • 三星电子称已开始大规模量产5nm芯片 并正在研发4nm工艺

    7月30日消息,据国外媒体报道,三星电子今日公布了第二季度财报,以及芯片代工等各项业务的进展。三星三星电子称,因为客户的库存准备增长,公司芯片代工业务取得了创纪录的季度和半年度营收。不过,三星电子未在新闻稿中单独公布这项业务的营收。三星电子还透露,已开始大规模量产5nm芯片,并且正在研发4nm工艺。在芯片代工业务领域,三星电子目前位列第二。排名第一的是台积电,去年市场占有率达52%。关于台积电和三

  • 台积电宣布3nm工艺2021年风险量产 晶体管密度提升70%

    台积电两年前量产了7nm工艺,今年要量产5nm工艺了,已经被华为、苹果抢先预定了大部分产能,现在3nm工艺也定了,官方宣布2021年风险量产,2020年下半年正式量产。此外,台积电还透露了3nm工艺

  • 台积电3nm制程预计2021年风险量产 2022下半年量产

    【techWeb】7月16日消息,16日下午,台积电二季度业绩说明会上,台积电方面透露,其3nm制程预计2021年风险量产,2022年下半年量产,3nm相比5nm工艺将带来70%的密度提升、10%-15%的速率增益和20-25%的功率提升。此外,截至 6 月 30 日的 2020 财年第二季度财报显示,台积电第二季度合并营收为 3106.99 亿元新台币 (约合 105.40 亿美元),较上年同期的 2409.99 亿元增长 28.9%;净利润为 1208.22 亿元 (约合 40.99 亿美元),较上年?

  • 骁龙875G被曝由台积电代工:三星5nm制程出问题

    据产业链最新消息称,三星5nm制程又出现问题,为了保险起见高通将会把相应处理器的订单转给台积电。消息中提到,高通在上个月已经向台积电紧急求援,希望后者能够代工X60基带和骁龙875G处理器

  • RTX 3080 Ti工程卡曝光:三星8nm工艺、4倍光追性能提升

    关于NVIDIA安培显卡,圈内有新消息传来。Moore’s Law is Dead指出,由于满足不了NVIDIA的预订产能,今年推出的RTX 30系列显卡,GPU核心均基于三星8nm打造,台积电7nm EUV需要等到明年上

  • 三星5nm被曝良品率低下:高通骁龙875G悬了

    这几年,台积电的半导体工艺衔枚疾进,相比之下三星、Intel进展就不太顺利了,尤其是三星在争夺代工订单的时候一直处于不利地位,比如最关键的良品率,就多次有消息说敌不过台积电。现在,Dig

  • 产业链人士:三星电子正努力改善5nm芯片制程工艺良品率

    7月20日消息,据国外媒体报道,在芯片工艺方面,台积电领先于其他厂商,三星电子虽然稍晚,获得的订单也无法与台积电相比,但在工艺的推出时间方面也基本能跟上台积电的节奏,在台积电的5nm工艺已大规模量产的情况下,三星电子也在利用5nm工艺为相关的客户代工芯片。三星电子在去年,就已顺利研发出了基于极紫外光刻的5nm芯片制程工艺,而在上周六的报道中,外媒称三星电子已在利用5nm工艺为高通代工骁龙875G和735G处?

  • 华为、三星、苹果手机下滑 闪存先遭殃:3个月来跌价20%

    作为NAND闪存的最大市场,智能手机市场今年还会下滑,苹果、三星及华为的手机业务都遭受了压力,闪存市场也应声而跌,3个月来价格跌了20%,这一个月来就跌了8%。全球每年将近15亿台的智能手机

  • 三星Fold 2已通过3C认证 或下月发布 25W快充可还行?

    日前,手机中国了解到,三星Fold2 已通过3C认证,该机将随附25W充电器,有望在下个月随Note 20、Note 20 Ultra和Z Flip 5G一起发布。

  • 三星Galaxy Note 20+通过FCC认证

    距离三星Galaxy Note20 系列的正式发布还有不到一个月的时间,虽然三星还没有正式宣布发布日期,但最近三星Galaxy Note 20+已经通过了FCC认证。通常情况下,一款智能手机只有在临近上市的时候才会获得FCC的批准,我们也期待即将上市的Galaxy Note20 系列也会如此。换句话说,Note 20+在FCC认证网站上的上市,在某种程度上证实了传闻中 8 月 5 日的上市日期。

  • 直屏版S20!三星Galaxy S20 FE曝光:120Hz高刷+骁龙865

    8月3日消息,知名爆料人士evleaks曝光了三星Galaxy S20 FE的正面渲染图。“FE”是“Fan Edition”的缩写,和Galaxy S20一样,Galaxy S20 FE采用的是挖孔屏方案,细节区别

  • 对标骁龙875!三星Galaxy S21 Ultra首发Exynos 1000:5nm/AMD GPU

    高通下一代旗舰芯片骁龙876预计在2020年Q4登场,2021年Q1商用。7月27日消息,据报道,高通骁龙875旗舰平台基于5nm工艺制程打造,同时期量产商用的三星Exynos 1000也将是一颗5nm制程的旗舰芯片

  • 三星Galaxy Watch3手表将搭载摔倒检测功能,减少意外事故发生

    ​外媒称,三星的未来将发布的智能手表Galaxy Watch 3 将搭载“摔倒检测”功能。“摔倒检测”是指在用户摔到之后,手表将鸣响警告一分钟,如果用户没有反馈,手表将自动将地址和 5 秒录音发给紧急联系人。

  • 插手ARM收购 少交授权费?三星否认

    日本软银要出售旗下的ARM公司可以说是2020年半导体行业影响最大的一件事了,目前传闻最多的就是NVIDIA接手ARM,实现强强联合。此外,三星也被曝参与收购少数股权,不过官方已经辟谣了。对三星

  • 三星发现全新半导体材料:内存、闪存迎来革命

    三星电子宣布,三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学,发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride),简称a-BN,有望推动

  • 券商看好中芯国际:明年或可成为全球第三、紧追台积电三星

    上周中芯国际在国内A股科创板上市,当天就创造了6500亿市值的神话,不过这几天来股价上上下下的也非常刺激,这也反映了大家对中芯国际价值认定的纠结——超高的市值与技术、业绩之间的

  • 参与评论
文明上网理性发言,请遵守新闻评论服务协议
  • 热门标签