站长之家（ChinaZ.com）10月13日 消息:三星电子近日天宣布，已开始量产业界最小的基于极紫外 （EUV） 技术的14纳米DRAM。继去年3月三星率先公布业界首款 EUV DRAM 后，三星已将 EUV 层数增加到5层，以为其 DDR5解决方案提供当今最好、最先进的 DRAM 工艺。
三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示:“通过开拓关键的图案化技术创新，我们在近三年的时间里一直引领着 DRAM 市场。“今天，三星正在通过多层 EUV 设定另一个技术里程碑，该技术实现了14纳米的极端小型化——这是传统氟化氩 （ArF） 工艺无法实现的壮举。在这一进步的基础上，我们将通过充分满足5G、AI 和 Metaverse 的数据驱动世界中对更高性能和容量的需求，继续提供最具差异化的内存解决方案。”
随着 DRAM 继续缩小到10纳米范围，EUV 技术对于提高图案精度以实现更高性能和更高产量变得越来越重要。通过在其14纳米 DRAM 中应用五个 EUV 层，三星实现了最高位密度，同时将整体晶圆生产率提高了约20%。此外，与上一代 DRAM 节点相比，14nm 工艺有助于将功耗降低近20%。
三星表示，14纳米 DRAM 将有助于解锁高达7.2吉比特每秒 （Gbps） 的前所未有的速度，这是高达3.2Gbps 的 DDR4速度的两倍多。
三星计划扩展其14纳米 DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外，三星预计将其14纳米 DRAM 芯片密度增加到24Gb，以更好地满足全球 IT 系统快速增长的数据需求。
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