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三星开始量产14nm EUV DDR5 DRAM 比上一代功耗降低近20%

2021-10-13 15:02 · 稿源:站长之家

站长之家(ChinaZ.com)10月13日 消息:三星电子近日天宣布,已开始量产业界最小的基于极紫外 (EUV) 技术的14纳米DRAM。继去年3月三星率先公布业界首款 EUV DRAM 后,三星已将 EUV 层数增加到5层,以为其 DDR5解决方案提供当今最好、最先进的 DRAM 工艺。

三星

三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示:“通过开拓关键的图案化技术创新,我们在近三年的时间里一直引领着 DRAM 市场。“今天,三星正在通过多层 EUV 设定另一个技术里程碑,该技术实现了14纳米的极端小型化——这是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的壮举。在这一进步的基础上,我们将通过充分满足5G、AI 和 Metaverse 的数据驱动世界中对更高性能和容量的需求,继续提供最具差异化的内存解决方案。”

随着 DRAM 继续缩小到10纳米范围,EUV 技术对于提高图案精度以实现更高性能和更高产量变得越来越重要。通过在其14纳米 DRAM 中应用五个 EUV 层,三星实现了最高位密度,同时将整体晶圆生产率提高了约20%。此外,与上一代 DRAM 节点相比,14nm 工艺有助于将功耗降低近20%。

三星表示,14纳米 DRAM 将有助于解锁高达7.2吉比特每秒 (Gbps) 的前所未有的速度,这是高达3.2Gbps 的 DDR4速度的两倍多。

三星计划扩展其14纳米 DDR5产品组合,以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外,三星预计将其14纳米 DRAM 芯片密度增加到24Gb,以更好地满足全球 IT 系统快速增长的数据需求。

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