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功耗直接砍半!三星:3nm GAA工艺研发进度领先台积电

2021-08-26 15:43 · 稿源: 快科技

虽然目前来看,下一代芯片普遍依然采用5nm工艺打造,但是厂商却一直在耗费巨资开发3nm工艺,其中台积电就表示将要在明年量产3nm工艺。

不过,消息称台积电依然选择FinFET晶体管技术,三星则选择了GAA技术,并且还成功流片,距离实现量产更近了一步。

据韩媒Business Korea最新报道,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在8月25日的一场网络技术论坛中透露,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA技术商业化。

他直言:我们开发中的GAA技术,领先主要竞争者台积电。一旦巩固这项技术,我们的晶圆代工事业将可更加成长。”

据悉,GAA是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准,当时三星预计3nm GAA工艺会在2020年底试产,2021年量产,但现在显然不能实现这个计划了。

需要注意的是,有消息称三星3nm GAA工艺如果拖到2024年量产,将会直接与台积电2nm竞争,到时候鹿死谁手还犹未可知。

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