三星电子计划利用世界上第一个3纳米工艺制造芯片

2020-01-03 08:39 稿源:站长快讯  0条评论

1月3日据koreaherald消息,三星电子实际掌门人李在镕在本周四谈到了三星公司利用世界上第一个 3 纳米工艺技术制造尖端芯片的战略计划。李在镕参观了该公司位于韩国京畿道华城的半导体研发中心。李在镕称,该公司计划采用正在开发的最新 3 纳米全栅极(gate-all-around,简称GAA)工艺技术来制造尖端芯片,并提供给全球客户。

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