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高NAEUV光刻机

高NAEUV光刻机

按照业内预判,2025年前后半导体在微缩层面将进入埃米尺度(,angstrom,1埃 = 0.1纳米),其中2025对应A14(14=1.4纳米)。除了新晶体管结构、2D材料,还有很关键的一环就是High NA(高数值孔径)EUV光刻机。根据ASML(阿斯麦)透露的最新信息,第一台原型试做机2023年开放,预计由imec(比利时微电子研究中心)装机,2025年后量产,第一台预计交付Intel。Gartner分析师Alan Priestley称,0.55NA下一代EUV光刻机单价将翻番到3亿美...

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