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全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管(以下称“SiC-SBD”)“SCS3系列”。
碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能,对电力电子行业的发展具有重要意义。作为较早实现产业化的 SiC 器件,碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)能提供近乎理想的动态性能。近日,基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC?系列 SiC JBS已火热上市,凭借其优越性能广受市场追捧。SiC JBS产品优势 作为单极型器件,SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存,其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容,反向恢复电荷以及反向恢复损
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向包括xEV在内的动力传动系统等车载系统,开发出200V耐压的超低IR※ 1 肖特基势垒二极管※2(以下简称“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。RBxx8BM/NS200 是RBxx8 系列的新产品,该系列产品是可在高温环境下工作的超低IR SBD,已经在日本国内的汽车市场取得非常优异的业绩。此次,利用其超低IR特性,实现了高达200V的耐压,可替换以往在汽车中普遍使用的整流二极管※ 3 和快速恢?