存储产能缩减

【TechWeb】6月20日消息，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中，一期主...

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