前两天,快科技曾报道,华人科学家胡正明教授刚刚被美国总统奥巴马授予2015年全美最高技术奖。作为半导体业界的翘楚,他在采访中谈到,在25nm看到尽头时美国政府曾向业界征集方案,胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI(FD-SOI),前者我们很熟悉,后者的中文名称是“全耗尽绝缘
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