海力士推UFS 2.0高速闪存 凤凰数码讯 7月10日消息,据快科技报道,今天,SK海力士宣布,已经开发出基于自家16nm NAND闪存和自家固件、控制器的UFS 2.0标准存储方案,容量有16GB、32GB、64GB、128GB等多种选择,专为当今旗舰手机打造。 其中,32GB、64GB已经开始出货,16GB的本季度
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