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近日,复旦大学微电子学院张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件,开创了第三类存储技术,不仅可以实现“内存级”的数据读写速度,还可以按需定制存储器的数据存储周期,可谓是半导
近日,复旦大学微电子学院张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件,开创了第三类存储技术,不仅可以实现“内存级”的数据读写速度,还可以按需定制存储器的数据存储周期,可谓是半导体行业的颠覆性技术。<br/> <br/>
据中新网消息,复旦大学微电子学院研发出了具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件,开创了第三类存储技术技术。这种新型存储技术不但能保证断电后数据不会丢失,而且写入速度比目前U盘快 10000 倍,数据刷新时间是内存技术的 156 倍。
据了解,现在的存储技术有两种:一种是以内存为代表的易失性存储,速度很快,但断电后数据就没有,无法保存;另一种是以U盘为代表的非易失性存储,断电后依然能够保存数据,但缺点就是读写速度慢。