功率半导体

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全球功率半导体革命的领导者英诺赛科港股递表

全球功率半导体革命的领导者英诺赛科科技股份有限公司InnoScienceTechnologyHoldingCo.，Ltd.向港交所递交招股书，拟香港主板挂牌上市。

打破功率半导体 “卡脖子”封锁 吉林华微电子获授权专利32 项

2023 年中国功率半导体国产化替代进入了深水区。功率半导体是电能处理的核心器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。在全球经济形势风云动荡下，一些发达国家对我国半导体业不断卡脖子施压，尤其功率半导体行业涉及较多项“卡脖子”的问题，迫使半导体国产替代变得更为紧迫。根据集微网统计介绍，截至 2023 年 9 月底，我国功率半导体相关项

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东芝将在姬路半导体工厂新建生产设施 扩大功率半导体产能

12月25日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”) 近日宣布，将在位于日本西部兵库县的姬路半导体工厂新建功率半导体后端生产设施。新设施将于2024年6月开工建设，计划2025年春季投产。该项目将使东芝姬路工厂的车载功率半导体产能相比2022财年增加一倍以上。功率器件是各种电子设备中用于管理和降低功耗、节约能源的重要组件。最重要的是，随着汽车电气化和工业设备自动化的发展，相较于所有其他产品，东芝的重点技术，低压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的市场需求预计将持续增长。东芝已决定通过新建后端生产设施来满

美国ITC发布对功率半导体及相关设备的337部分终裁 终止调查联想、一加科技等公司

凤凰网科技讯 12月9日消息，据中国贸易救济信息网报道，12月8日，美国国际贸易委员会发布公告称，对特定功率半导体以及包含该功率半导体的移动设备和计算机作出337部分终裁：对本案行政法官于2022年11月10日作出的初裁不予复审，即基于和解，终止对列名被告韩国Samsung Electronics Co.， Ltd.、美国Samsung Electronics America， Inc.、美国Google LLC、中国北京Lenovo Group Ltd.、美国Lenovo Inc.、美国Motorola Mobility LLC、美国Microsoft Corporation、中国广东OnePlus Technology Co.， Ltd.的调查。2022年3月28日，美国国际贸易委员会投票决定对特定功率半导体以及包含该功率半导体的移动设备和计算机启动337调查。2022年2月7日，爱尔兰Arigna Technology Limited of Dublin， Ireland向美国ITC提出337立案调查申请，主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品侵犯了其专利权，请求美国ITC发布有限排除令、禁止令。

理想汽车功率半导体研发及生产基地正式启动建设

理想汽车功率半导体研发及生产基地是理想汽车自研核心部件的战略布局之一，主要专注于第三代半导体碳化硅车规功率模块的自主研发及生产，旨在打造汽车专用功率模块的自主设计和生产制造能力...自主研发和生产第三代半导体碳化硅车规功率模块，将有助于确立理想汽车的技术和产品领先优势，同时有效确保量产供应...

理想汽车功率半导体相关工厂开建 预计产能公布

理想汽车功率半导体研发及生产基地在江苏苏州高新区正式启动建设，这标志着理想汽车正式启动下一代高压电驱动技术的自主产业链布局...该生产基地由理想汽车与国内半导体企业湖南三安半导体共同出资组建的苏州斯科半导体公司打造，预计2022年内竣工后进入设备安装和调试阶段，2023年上半年启动样品试制，2024年正式投产，预计产能将逐步提升并最终达到240万只碳化硅半桥功率模块的年生产能力...

2024年投产、年产240万！理想汽车功率半导体新基地开建

理想汽车功率半导体研发及生产基地是理想汽车自研核心部件的战略布局之一，主要专注于第三代半导体碳化硅车规功率模块的自主研发及生产，旨在打造汽车专用功率模块的自主设计和生产制造能力...该生产基地由理想汽车与国内半导体领先企业湖南三安半导体共同出资组建的苏州斯科半导体公司打造，预计2022年内竣工后进入设备安装和调试阶段，2023年上半年启动样品试制，2024年正式投产后预计产能将逐步提升并最终达到240万只碳化硅半桥功率模块的年生产能力......

成都岷山功率半导体技术研究院孵化平台正式上线——与时代共谋，创产业集群！

为更快聚合人才，更好地推动产业发展，成都岷山功率半导体技术研究院引进专家资源、聚力产业资源，高规格打造产业孵化平台，为敢想敢梦的追梦才子们打造一个专业级的创业平台，为初创企业提供资金、市场、管理、生产等服务，让技术人才更专心产业研发，让创业者更好发展公司...不同于传统孵化器标准化的孵化模式，针对不同类型的创业者，成都岷山功率半导体技术研究院开发出了两大孵化模式：共同创业孵化和初创培育孵化......

TrendForce：下半年8英寸基板量产起飞 三代功率半导体前景喜人

集邦咨询（TrendForce）指出：包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的具有高功率与高频特性的宽带隙（WBG）半导体，在电动汽车（EV）和快充电池市场具有相当大的发展潜力。预计第三代功率半导体的产值，将从 2021 年的 9.8 亿美元、增长到 2025 年的 47.1 亿美元 —— 符合年增长率（CAGR）为 48% 。（图自：TrendForce） 首先展望下大功率的碳化硅（SiC）器件，其能够在储能、风电、光伏、EV 新能源等领域发挥重要的作用。目前市面上的电动汽车，其功率半导体仍更加依赖于硅基材料（IGBT / MOSFET）。 不过随着 EV 电池动力系统逐渐发展