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集邦咨询（TrendForce）指出：包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的具有高功率与高频特性的宽带隙（WBG）半导体，在电动汽车（EV）和快充电池市场具有相当大的发展潜力。预计第三代功率半导体的产值，将从 2021 年的 9.8 亿美元、增长到 2025 年的 47.1 亿美元 —— 符合年增长率（CAGR）为 48% 。（图自：TrendForce） 首先展望下大功率的碳化硅（SiC）器件，其能够在储能、风电、光伏、EV 新能源等领域发挥重要的作用。目前市面上的电动汽车，其功率半导体仍更加依赖于硅基材料（IGBT / MOSFET）。 不过随着 EV 电池动力系统逐渐发展...

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