集邦咨询（TrendForce）指出：包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的具有高功率与高频特性的宽带隙（WBG）半导体，在电动汽车（EV）和快充电池市场具有相当大的发展潜力。预计第三代功率半导体的产值，将从 2021 年的 9.8 亿美元、增长到 2025 年的 47.1 亿美元 —— 符合年增长率（CAGR）为 48% 。
（图自：TrendForce）
首先展望下大功率的碳化硅（SiC）器件，其能够在储能、风电、光伏、EV 新能源等领域发挥重要的作用。
目前市面上的电动汽车，其功率半导体仍更加依赖于硅基材料（IGBT / MOSFET）。
不过随着 EV 电池动力系统逐渐发展到 800V 以上的电压等级，SiC 将在高压系统中具有更高的性能表现。
随着 SiC 逐步替代部分硅基础设计，整车架构和性能都将迎来大幅改进和提升。预计到 2025 年的时候，SiC 功率半导体的市场规模可达到 33.98 亿美元。
其次是适用于高频场景的氮化镓（GaN）旗舰，其在手机 / 通讯设备、平板 / 笔记本电脑上具有相当大的应用前景。
与传统快充方案相比，GaN 具有更高的功率密度，能够在更加轻巧、便携的封装内实现更快的充电速度。
事实证明，这方面的优势对 OEM / ODM 厂商有极大的吸引力，其中不少厂家早已积极投身于此类材料的研发。
预计到 2025 年的时候，GaN 功率半导体市场规模可达到 13.2 亿美元。此外集邦咨询强调，第三代功率半导体基板相较于传统硅基板的制造难度和成本也都更高。
好消息是，目前各大基板供应商都呈现了努力发展的态势。随着 Wolfspeed、II-VI、Qromis 等公司相继扩大产能，预计今年下半年可实现 8 英寸基板的量产，且未来几年仍有相当大的持续增长空间。
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