站长之家(ChinaZ.com) 2月22日 消息：据外媒报道，西数在近日推出了新一代UFS 3. 0 闪存EU511，写入速度最高可达到750MB/s，最大容量为512GB，可最大限度地提高智能手机和移动设备的存储性能。

新推出的iNAND MC EU511 闪存是基于西部数据的 96 层 3D NAND，支持通用闪存(UFS)3.0 Gear 4/ 2 通道规格，顺序写入速度高达750MB/s，是前代的两倍，提供64GB到512GB容量选择。

西数表示，借助UFS 3. 0 闪存接口的更高性能，5G移动设备将为增强现实、虚拟现实( AR/VR )和移动游戏等应用程序提供更高的性能和更低的延迟。