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来自应用材料(Applied Materials)公司的下一代工具,就将为包括三星在内的晶圆厂提供 GAA 芯片的制造支持...为在晶体管尺寸缩放的同时、维持其性能与电气参数,芯片行业已于 2012 年开始,从平面型晶体管过渡到 FinFET(鳍式场效应晶体管),以通过使栅极更高来增加晶体管沟道和栅极之间的接触面积...更何况该工艺可在 CPU 之外的硬件上使用,比如三星 DRAM 亦能受益于更小的单元尺寸 / 更高的晶体管密度......
三星电子今天宣布,其已开始用3nm 工艺节点来为客户代工制造 GAA 环栅晶体管芯片...三星还称,第二代3纳米 GAA 制造工艺也正在研发中,这种第二代工艺将使芯片功耗降低达50%,性能提高30%,面积减少35%...为突破鳍式场效应晶体管(FinFET)的性能限制,三星选择了多桥通道 FET技术来制造首批 GAA 晶体管芯片...
作为全球半导体技术的领导者,三星电子刚刚宣布,其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片...通过展示业内领先的下一代芯片制造工艺,三星希望在高 K 金属栅极、FinFET 和 EUV 之外,通过 3nm MBCEFT 工艺来继续保持竞争优势...与 5nm 公司相比,三星电子初代 3nm GAA 工艺可较 5nm 降低多达 45% 的功耗,同时提升 23% 的性能和减少 16% 的面积占用......
据国外媒体报道,在2015年为苹果代工的A9芯片在iPhone 6s上的续航能力不及台积电所生产芯片一事出现之后,三星就再也未能获得苹果A系列处理器的代工订单,苹果的订单也就全部交给了台积电,三星随后在芯片制程工艺和良品率方面,也始终不及台积电,在芯片代工商市场的份额也远不及台积电。
9月22日消息,据国外媒体报道,在5nm工艺今年一季度投产,为苹果等客户代工最新的处理器之后,芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm和2nm工艺。在7月16日的二季度财报分析师电话会议上,台积电CEO魏哲家透露,他们3nm工艺的研发正在按计划推进,仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术(FinFET),计划在明年风险试产,2022年下半年大规模投产。同多次提及的3nm工艺相比,台积电目前并未公布太多2nm工?
英特尔周四公布了一种在半导体上制造晶体管的新方法,该公司首席设计师表示,这一新的方法将使英特尔下一轮处理器的性能提高20%。
索尼半导体今日官宣,旗下光喻LYTIA图像传感器品牌与OPPO合作,联合推出拥有双层晶体管像素技术的LYTIA图像传感器。索尼半导体早在2021年就推出双层晶体管像素技术,这次OPPO与索尼半导体合作,配合算法,OPPO新机在影像方面应该会有不错表现。OPPOFindN3已经入网,型号为PHN110”,预计搭载第二代骁龙8移动平台将提供16GB1TB超大内存版本,可以满足用户对大容量内存的需求。
索尼半导体解决方案公司,已经成功开发出了全球首个采用双层晶体管像素技术的堆叠式 CMOS 图像传感器。据悉,传统方案需要将光电二极管和像素晶体管置于同一基板,而索尼新技术将两者分离放置在了不同的基板层上。得益于几乎增强了一倍的饱和信号电平,以及动态范围的提升 / 噪声的下降,新方案显著可提升成像性能。(来自:SONY 官网)在像素芯片内,负责光电信号转换的二极管、和控制信号的像素晶体管位于同一层。而在传统堆叠式