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3nmGAA

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三星最近开始向客户交付首批3nm GAA 芯片,但智能手机芯片供应商并没有很快被其吸引,而是继续与竞争对手台积电接洽未来订单...目前尚未有信息表明这家韩国芯片代工巨头有参与此类智能机 SoC 的开发,意味着三星可能不会为 Galaxy S23开发 Exynos2300芯片组...不过随着第二代工艺于2024年转入量产,高通等移动芯片制造商有望成为三星3nm GAA 的新客户...受此利好影响,高通或与三星重新就3nm GAA 芯片代工业务建立合作伙伴关系 —— 但前提是台积电这边的3nm 工艺遇到了良率等问题.........

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  • 三星如约向加密货币挖矿行业客户出货首批3nm GAA芯片

    7月25日(本周一),韩国电子巨头三星开始如约向客户交付其首批3nm GAA 环栅晶体管工艺芯片...尽管三星同样致力于为智能手机厂商量产3nm GAA 芯片,但高通等行业巨头并非其首批客户...WCCFTech 预计,三星还是有望推出基于3nm GAA 工艺的 Exynos2300量产芯片,但即将推出的 Galaxy S23或许还是会“两步走”...最后回顾一下三星3nm GAA 工艺的优势 —— 官方宣称与5nm 方案相比,其功耗降低了45%、性能提升了23%、并且缩减了16% 的芯片面积......

  • 三星宣布开始为客户代工试生产其 3nm GAA环栅晶体管芯片

    三星电子今天宣布,其已开始用3nm 工艺节点来为客户代工制造 GAA 环栅晶体管芯片...三星还称,第二代3纳米 GAA 制造工艺也正在研发中,这种第二代工艺将使芯片功耗降低达50%,性能提高30%,面积减少35%...为突破鳍式场效应晶体管(FinFET)的性能限制,三星选择了多桥通道 FET技术来制造首批 GAA 晶体管芯片...

  • 三星宣布开始用3nm工艺节点生产GAA环栅晶体管芯片

    作为全球半导体技术的领导者,三星电子刚刚宣布,其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片...通过展示业内领先的下一代芯片制造工艺,三星希望在高 K 金属栅极、FinFET 和 EUV 之外,通过 3nm MBCEFT 工艺来继续保持竞争优势...与 5nm 公司相比,三星电子初代 3nm GAA 工艺可较 5nm 降低多达 45% 的功耗,同时提升 23% 的性能和减少 16% 的面积占用......

  • Applied Materials公布适用于3nm与GAA晶体管制造的下一代工具

    来自应用材料(Applied Materials)公司的下一代工具,就将为包括三星在内的晶圆厂提供 GAA 芯片的制造支持...为在晶体管尺寸缩放的同时、维持其性能与电气参数,芯片行业已于 2012 年开始,从平面型晶体管过渡到 FinFET(鳍式场效应晶体管),以通过使栅极更高来增加晶体管沟道和栅极之间的接触面积...更何况该工艺可在 CPU 之外的硬件上使用,比如三星 DRAM 亦能受益于更小的单元尺寸 / 更高的晶体管密度......

  • 3nm不上GAA 坚持FinFET技术 台积电:最佳成本选择

    在3nm节点,三星为了跟台积电竞争,激进地选择了下一代的GAA晶体管技术,台积电方面更稳妥一些,第一代3nm工艺依然在使用FinFET工艺,好处是今年下半年就可以量产...台积电强调,3nm继续使用FinFET晶体管是综合考虑在,能提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本......

  • 三星3nm GAA工艺首批客户可能是AMD和高通

    随着台积电推出其3nm工艺,三星电子紧随其后的是其自己的3nm芯片制造技术。尽管台积电在芯片生产市场占有很大份额,但三星电子头也将目光投向了主要参与者,因为其3nm GAA工艺的首批客户寥寥无几。

  • 功耗直接砍半!三星:3nm GAA工艺研发进度领先台积电

    虽然目前来看,下一代芯片普遍依然采用5nm工艺打造,但是厂商却一直在耗费巨资开发3nm工艺,其中台积电就表示将要在明年量产3nm工艺。不过,消息称台积电依然选择FinFET晶体管技术,三星则选择了GAA技术,并且还成功流片,距离实现量产更近了一步。据韩媒Business Korea最新报道,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在8月25日的一场网络技术论坛中透露,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA技术商业化。他?

  • 跳票三年 三星3nm GAA工艺2024年才能量产:大战台积电2nm

    日前三星联合Synopsys宣布3nm GAA工艺已经流片成功,这是全球首个GAA晶体管工艺流片,意义重大。然而三星并没有透露3nm GAA工艺何时量产,这是最关键的部分。日前有分析师援引高通高管之前的一个表态,认为2023年才会有3nm GAA工艺的芯片问世,但更现实的时间点是2024年,也是说要到3年后才能量产。三星早在2019年公布3nm GAA工艺的PDK规范时就表示,预计3nm GAA工艺会在2020年底试产,2021年量产现在来看,三星太乐观了,3nm GAA?

  • 三星成功流片3nm GAA芯片:性能优于台积电

    ​据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。三星在3nm制程的流片进度与新思科技合作完成,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构,采用GAA结构。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

  • 三星取消中间工艺4nm:5nm后直接上马3nm GAAFET

    GF(格芯)退出7nm研发后,金字塔尖的先进制程工艺争夺主要围绕台积电、Intel、三星开展。最新消息称,三星已经重修了工艺路线图,取消了此前用于过渡的4nm,在5nm为FinFET(鳍式场效应晶体管

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    1月6日据《韩国经济》报道,三星电子已成功研发出首款3nm工艺芯片,基于全栅极(GAAFET)技术。与三星自家使用FinFET工艺研发的5nm芯片相比,3nm芯片的总硅片面积减少35%,功耗降低50%,性能提高30%。一年前,三星就开始进行3nm GAAFET工艺的研发,最初计划于 2021 年开始量产。目前在圆晶代工领域,三星最大的竞争对手是台积电,台积电今年有望继续拿下华为和苹果两大重要客户的芯片订单。

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