磁阻

三星半导体宣布，通过结构创新，实现了基于MRAM的内存内计算，进一步拓展了三星的下一代低功耗人工智能芯片技术的前沿领域...内存内计算则是一种新的计算模式，也可以叫做存算一体化”，在内存中同时执行数据存储、数据计算处理，无需往复移动数据...不过一直以来，MRAM磁阻内存很难用于内存内计算，因为它在标准的内存内计算架构中无法发挥低功耗优势...三星研究团队设计了一种名为电阻总和”的新型内存内计算架构，取代标准的电流总和”架构，成功开发了一种能演示内存内计算架构的MRAM阵列芯片，命名为用于内存内计算的磁阻内存交叉阵列”...按照三星的说法，在执行AI计算时，MRAM内存内计算可以做到98％的笔迹识别成功率、93％的人脸识别准确率......

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