顺序写入性能

NAND闪存进入3D时代之后，提高容量的方式主要靠堆栈层数了，2022年几大原厂已将层数提升到232层以上，再下一个目标就是超过300层要继续提高性能，西数、铠侠就公布了相关信息。在2023年的VLSI集成电路会议上，他们将发布最新的研究论文，介绍8平面3D闪存以及堆栈层数可以超过300层的闪存。除了高性能TLC闪存之外，西数铠侠还在开发300层甚至400层的高层数闪存，不过这就要依赖半导体设备厂商拿出更强大的极高深宽比刻蚀机了，日本东电公司在这方面已经取得了一些进展。...

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