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英特尔和美光明年推新型芯片 速度提升千倍

2015-07-29 21:35 · 稿源: 腾讯科技

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两家公司表示,这种芯片比目前多数移动设备采用的NAND闪存芯片快1,000倍,而存储容量是主流电子设备采用的DRAM(动态随机存取存储器)的10倍多...

虽然速度无法与DRAM相提并论,但与DRAM芯片不同,即使在断电情况下,新型芯片依然可用保留数据(与NAND芯片相似)...

美光同样生产DRAM芯片...

英特尔、美光等NAND芯片制造商已经表示,它们已经不再追求这个目标,转而在芯片中堆积电路...

英特尔和美光没有公布3DXpoint技术细节,包括新型芯片所采用的主要材料...

英特尔和美光将于今年底投产新型芯片样品,但双方计划单独控制这项技术...

......

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