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本文介绍了忆联AM6D1 PCIe 5.0固态硬盘,它采用4通道DRAMLess主控设计,旨在解决AI大模型本地部署中的存储瓶颈。测试显示,其顺序读写速度分别超过11400MB/s和10900MB/s,随机4K读写性能达1600K+ IOPS和1150K+ IOPS。在加载32B和235B大模型时,耗时仅10.52秒和53.99秒,游戏载入测试也表现出色。同时,其功耗控制优秀,空闲功耗可低至3mW。该产品兼顾高性能与低成本,适合从工作站到移动设备的全场景AI部署需求。
忆联推出行业领先的DRAM-Less PCIe 5.0 SSD——AM6D1,通过创新架构与底层算法优化,兼顾性能与成本。该产品采用无独立缓存设计,支持PCIe 5.0 x4与NVMe 2.0标准,凭借主控算法优化与高速闪存的深度协同,实现媲美有缓存旗舰产品的性能表现。实测显示,AM6D1在CDM、FIO等基准测试中顺序读写速度分别达11500MB/s和10900MB/s,4K随机读取性能出色,并在PCMark 10、3DMark等真实负载测试中表现稳定。其低功耗与低发热特性,为轻薄本等空间受限设备提供了理想的存储升级方案。
2月13日,宏碁存储发布全球首款搭载6nm主控的超低功耗PCIe 5.0固态硬盘Acer N8000。该产品不仅标志着宏碁进军新一代高性能存储赛道,更代表品牌对“高性能”的重新思考:真正的极致源于性能与能效的共同进化。区别于单纯追求速度,N8000更着力于功耗优化升级,在高速读写不妥协的前提下,以更低功耗与强劲散热,重塑Gen5新体验。
忆联推出消费级PCIe 5.0固态硬盘AM6D0,顺序读写速度达11.3GB/s和10.6GB/s,随机读写性能达1,700K和1,100K IOPS,专为专业创作者、硬核玩家和高端用户设计。该产品具备深度节能模式,整盘功耗低于2.5mW,数据可靠性高(UBER达1E-16),并广泛兼容主流硬件平台与操作系统。通过多项智能管理特性,AM6D0实现了高性能、高能效与稳定输出的综合体验,成为驱动数字创意生产力的坚实存储基石。
微星推出PRO A1000PL PCIE5电源,主打高性能与稳定性。其核心亮点包括1000W白金能效、ATX3.1与PCIe5.1双认证,可应对高端显卡瞬时功耗。配备原生16-pin接口,单口输出达600W。全压纹模组线易于理线,异色接口设计提升安装安全性。电源内置多重保护机制,并提供10年质保。首发价699元,性价比突出,适合追求稳定与未来兼容性的玩家。
铭凡正式推出第二代高性能迷你工作站MS-02Ultra,仅4.8升的超紧凑体积,融合全塔级性能与极致的扩展能力。MS-02Ultra最高搭载Intel® Core™ Ultra9285HX处理器,具备24核心、24线程,最高睿频达5.4GHz,支持100W持续高性能输出,多核性能较前代产品提升高达117%。配合13TOPS NPU,在AI、多媒体、性能释放与能效优化方面都更出色。在扩展能力上,MS-02Ultra堪称“同级天花板”。MS-02Ultra配备3
忆联推出首款面向OEM市场的消费级PCIe 5.0 SSD产品AM6D1,顺序读写速度高达11400MB/s和10900MB/s,随机读写性能达1600K/1150K IOPS,较PCIe 4.0提升超50%。产品采用DRAM-Less架构与智能温控方案,确保高负载下性能波动低于5%,并集成端到端数据保护与ECC纠错。支持ASPM低功耗模式,深度睡眠功耗可降至3mW以下,显著优化总拥有成本。适用于AI推理、8K视频编辑及高端游戏等场景,为多元化应用提供稳定高性能存储解决方案。
三星电子于2025年8月20日推出9100PRO系列8TB固态硬盘,包括标准版和散热片版。新品采用PCIe 5.0接口,顺序读写速度分别高达14,800MB/s和13,400MB/s,相比前代990PRO性能提升99%。支持多设备兼容,包括笔记本电脑、游戏主机等,适用于游戏、内容创作等高性能场景。8TB版本将于9月2日发售,建议零售价分别为999.99美元和1019.99美元。
PCEVA对忆联PCIe 5.0企业级固态硬盘UH812a进行全面评测,该产品顺序读取速度达14.9GB/s,4K随机读取性能达3569K IOPS,延迟低至55μs,在Oracle数据库、虚拟化等企业级场景中表现出卓越的稳定性和兼容性。通过SNIA SSS PTS测试,其性能超出标称值,同时通过了英特尔BKC认证及中子辐照测试,展现出高可靠性与抗辐射能力。
本文介绍了忆联Ceph分布式存储方案的技术优势。该方案基于PCIe5.0 ESSD,数据吞吐效率达上一代2倍;采用智能多流技术,性能优于主流竞品3.15%;有效抑制写放大效应(WAF),优于竞品20%-32%,可延长SSD寿命20%以上。方案通过硬件层面的创新突破,为云原生环境提供兼具超低延迟与超高一致性的存储基础设施,满足企业级客户对存储系统全生命周期稳定性的严苛需求。测试数据显示,在3副本配置下,QD32时随机读IOPS达175.5万,延迟稳定在1.1毫秒内;混合读写IOPS超50万,延迟约20毫秒。智能多流技术实现1.78超低WAF值,显著提升存储效能,是构建新一代分布式存储系统的理想选择。