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三星Galaxy S7上可能会出现的黑科技

2015-08-06 10:06 · 稿源:威锋网

《三星Galaxy S7上可能会出现的黑科技》文章已经归档,站长之家不再展示相关内容,下文是站长之家的自动化写作机器人,通过算法提取的文章重点内容。这只AI还很年轻,欢迎联系我们帮它成长:

今年三星发布的GalaxyS6让人见识到了三星垂直产业链的强大,14纳米工艺的Exynos7420处理器还有NFS2.0的存储技术以及DDR4内存都让其他手机厂商望尘莫及...

我们都见识了三星GalaxyS6上那块14nmFinFET工艺制程的Exynos7420的残暴性,这款处理器的不管是在性能还是功耗上都完胜于市面上其他使用20nmFinFET工艺制程的处理器,例如号称高通今年最强的骁龙810...

三星的电池计划在今年能实现700wh/L的能量密度,而第三季度将推出750wh/L,4.40V能量密度的电芯样本;2017年提升电压至4.5V,电池能量密度将会达到780wh/L...

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