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三星已可实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存

2016-08-11 08:15 · 稿源: cnbeta.com

《三星已可实现64层晶粒立体堆叠V-NAND 3D闪存》文章已经归档,站长之家不再展示相关内容,下文是站长之家的自动化写作机器人,通过算法提取的文章重点内容。这只AI还很年轻,欢迎联系我们帮它成长:

在美国加州圣克拉拉举办的闪充峰会上,三星宣布了一项技术升级突破:第四代V-NAND(立体堆叠3D闪存)已经实现了64层晶粒(DIE)堆叠,存储密度再次突破新高,超过了外媒刚经过测评的PortableSSDT3中相当令人震撼的48层V-NAND立体堆叠...

.新一代立体堆叠的V-NAND芯片可实现单独晶粒(DIE)512Gb的存储容量,单独晶粒数据传输速度可达100MB/S,三星预计能够在2016年第四季度试产基于新技术的存储产品...

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