站长之家（ChinaZ.com）9月15日消息，高通公司宣布现已推出下一代快速充电技术Qualcomm® Quick Charge™ 3.0。在QC 2.0的基础上充电速度提高27%、功率损耗减少45%。大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%。高通即将上市的骁龙820、620、618、617和430处理器上将可以选配QC 3.0。
Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压，Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的灵活选择。Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及连接器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，并且拥有同样的超快充电速度，以及独立电路，为OEM厂商提供更灵活的选择，此外还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。Quick Charge 3.0的采用建立在对现有设计最小化改变上，能向 OEM厂商提供低成本的快速充电选项。
高通表示QC 3.0的采用建立在对现有设计最小化改变上，所以最高输入功率并没有太大的改变，但是减少功率损耗、增加电压档位还是能够帮手机等终端产品提高充电速度的。目前市面上已经有超过40款移动终端和100款以上的配件支持QC 2.0技术，所以解决有无问题同样重要，希望430等中低端处理器的上市能让快充技术快速普及。
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