在高分辨率、高刷、低功耗的显示技术浪潮下，TCL华星超高迁50氧化物技术打破传统背板技术瓶颈，兼具高性能与低成本优势。搭载该技术的全球首款矩阵分区分频Oxide笔电屏，以ARR（AI Refresh Rate）多区动态变频技术实现0.01Hz超低刷新率，功耗直降50%，为AI PC与下一代显示设备提供高画质、低能耗的核心方案，引领LCD技术进入全新世代。
需求迭代驱动技术革新
LCD背板开启性能跃升新赛道
长期以来，LCD显示技术的性能提升，始终与背板驱动器件的演进紧密相关。随着行业对显示体验的要求持续升级，传统背板方案已难以全面匹配多元场景的综合需求:
- 非晶硅（a-Si）TFT:工艺成熟稳定，但迁移率水平有限，在高分辨率、高刷新率等高端应用场景中存在性能瓶颈，同时静态功耗控制难以满足当前低功耗设计的更高标准。
- 低温多晶硅（LTPS）TFT:具备较高迁移率，可支撑高性能显示。但工艺复杂、成本高昂，且漏电流控制能力有限，难以兼顾低频低功耗需求，无法支持G8.5+大世代线面板。
- 传统氧化物TFT:在低关态电流特性上表现优异，但迁移率仍有提升空间，难以同时实现高刷与高分辨率的协同优化，无法充分释放LCD技术的性能潜力。
随着消费级市场对笔记本、显示器的画质要求持续提升，专业市场对VR/AR、医疗显示等设备的性能需求不断增长，行业迫切需要一种兼具高迁移率、低功耗、高可靠性与低成本的全新背板技术，以突破LCD显示的性能天花板，TCL华星超高迁50氧化物技术正是在这一背景下应运而生。通过迁移率的大幅提升可实现real千刷超高频驱动，器件微型化提升穿透率及实现极窄边框，同时为单IC集成方案落地创造关键条件。
底层技术引领突破
超高迁50实现性能飞跃
TCL华星深研底层核心技术，携手细野秀雄教授重磅推出自主研发的超高迁50氧化物技术，通过三大核心技术突破，构建了高性能氧化物TFT的完整技术闭环。
工艺体系重构:构建极致均匀的氧化物半导体体系
为实现氧化物半导体薄膜的极致均匀性与致密度，TCL华星率先突破传统工艺路径，引入业界领先的联动式旋转靶溅射成膜技术，叠加复合叠层设计抑制薄膜缺陷，增强耐药液腐蚀性，大幅提升器件均一性和稳定性，为高性能氧化物TFT筑牢根基。同时创新性的采用了复合修复工艺进行界面改善，彻底解决高迁材料In含量过高带来的器件及工艺问题，大幅提升材料迁移率。
核心器件攻坚:绝缘层氢氧平衡的精准调控，攻克超高迁移率器件的稳定性难题
超高迁移率氧化物TFT器件对水汽、氢、氧等环境与制程变量高度敏感，绝缘层中氢氧组分的失衡将直接导致器件性能劣化。TCL华星基于氧化物器件的机理研究与工艺积累，构建了前后沟道绝缘层的精准氢氧平衡调控体系，通过氢氧组分精准平衡、低缺陷界面构筑与高致密阻隔层制备，实现器件漏电抑制、缺陷态控制与环境阻隔能力的同步提升，保障器件在高迁移率下的稳定运行。
全链路设计优化:电路架构与TFT设计革新，释放超高迁50氧化物的性能潜能
随着氧化物半导体迁移率的提升，栅极对沟道的调控能力相对减弱，器件易出现阈值电压漂移问题;同时高迁移率器件输出电流显著提升，而氧化物材料本征导热系数较低，导致器件自发热效应加剧，制约性能与可靠性。TCL华星通过新型GOA电路架构开发、TFT器件结构优化与散热强化设计，实现电路架构与超高迁移率氧化物器件特性的深度适配，充分释放高迁移率材料的性能潜力，达成产品规格升级与高可靠性的双重目标。
目前，TCL华星在关键的器件特性方面已取得突破性成果:超高迁氧化物器件的电子迁移率可达50cm²/V·s，其Stress稳定性与已量产的氧化物水准相当，同时具备优异的耐压特性和可靠性，已展现出清晰的量产前景。TCL华星计划在2026年内实现该技术的量产突破，从而确立在氧化物显示技术领域的行业领先地位。
TCL华星ARR技术重磅亮相
屏幕迈入场景智能时代
TCL华星自适应分区刷新率（ARR）技术，采用超高迁50技术，搭配面板设计、材料到驱动算法的全链路创新突破，实现产品性能跃升，开拓笔电显示全新发展前景。
面板架构+驱动创新:构建水平+垂直双维度矩阵式分区驱动新形态
创新采用全新GOA设计搭配电路设计，突破传统显示限制，实现灵活分区控制。水平方向以“行”为最小物理分区，实现像素级精准控频;垂直方向依托COG IC完成硬件分区划分，再通过软件算法精准调控，软硬协同实现垂直方向灵活分区，真正做到屏幕任意区域刷新率独立可控，可按画面内容智能划分高刷、低刷区域，实现多区域差异化刷新。
超高迁50氧化物技术加持:赋能0.01~120Hz极限高低频稳定显示
基于超高迁50氧化物技术，实现0.01~120Hz的极限高低频稳定显示能力。有效攻克传统屏幕低频下亮度不均、画面闪烁等难点，保障了高低刷切换时屏幕亮度高度均一，无论是120Hz高刷动态画面，还是超低刷静态画面，均可呈现稳定细腻的视觉效果。
AI赋能:AI场景识别+AI PQ画质双维升级
依托AI智能赋能，搭载AI场景识别与AI PQ画质补偿双重算法能力。
AI场景识别可智能识别屏幕动态、静态内容，精准划分画面区域属性，按需智能调度高低刷区域;动态区域维持120Hz高刷画面丝滑流畅，静态文档区域可下探至0.01Hz超低刷新率，在不牺牲观感、无频闪的前提下，大幅削减屏幕功耗。
AI PQ画质补偿算法，针对不同刷新率分区智能调校亮度保障高低频区域的视觉差异;并针对不同内容场景动态调节色域、对比度、亮度，为用户带来优质的显示体验。
TCL华星长期深耕氧化物技术领域，实现了从常规氧化物到高迁30再到超高迁50的阶梯式技术突破:2024年完成常规氧化物IGZO量产落地，2025年达成高迁30氧化物技术量产，2026年将实现超高迁50氧化物技术的量产跨越。目前，搭载全球首款超高迁50氧化物技术的14英寸矩阵分区分频笔电屏已在SID完成全球首发，以行业首发的姿态确立了技术引领地位。
TCL华星作为全球半导体显示产业的领导者，始终致力于技术创新与材料工艺的迭代升级，同时秉持“真正的技术创新源于对用户本质需求的洞察和对社会责任的担当”的理念，ARR技术正是这一理念的生动实践，我们期待将该突破性技术与全球顶级笔记本品牌伙伴分享，共同打造下一代AI PC产品。
未来，随着超高迁50氧化物技术的规模化落地，更多兼具高性能、低功耗与成本优势的显示产品将推向市场，为用户带来前所未有的视觉体验，也为显示行业的发展注入新的活力。TCL华星也将继续以“APEX臻图”技术理念为引领，深耕半导体显示技术，让每一块屏幕都成为看见美好未来的窗口。
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