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AMD 3D V-Cache技术开发多年 在Ryzen 9 5950X样品中首次出现

2021-08-08 08:10 · 稿源: cnbeta

几个月前,AMD发布了关于他们的Ryzen CPU新技术的信息。AMD的3D V-Cache技术带来多达64MB的额外L3缓存,并将其堆叠在Ryzen CPU的顶部。3D缓存从一开始就被设计为可堆叠。这证明了AMD在这项技术上已经持续了工作几年。

现在,来自TechInsights网站的Yuzo Fukuzaki提供了更多关于AMD缓存技术新进展的细节,Fukuzaki在Ryzen 9 5950X样品上发现了具体的连接点。样品上还有一个额外空间的说明,通过提供更多的铜质连接点,为3D V-Cache创造了无障碍环境。

堆叠安装过程利用了一种叫做"硅通孔"的技术,即TSV,它通过混合粘合将SRAM的第二层连接到芯片上。在TSV中使用铜而不是通常的焊料,可以实现热效率和更多的带宽。这取代了使用焊料将两个芯片相互连接的做法。

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他还在LinkedIn关于这个问题的文章中指出:为了应对memory_wall问题,缓存内存的设计很重要,这是缓存密度在工艺节点上的趋势,逻辑上的3D内存集成可以有助于获得更高的性能。随着AMD开始实现Chiplet CPU整合,他们可以使用KGD(Known Good Die)来摆脱模具的低产量问题。在IRDS(International Roadmap Devices and Systems)中,这一创新预计将在2022年实现。

TechInsights以反向方式深入研究了3d V-Cache的连接方式,并提供了以下发现的结果:

TSV间距;17μm

KOZ尺寸;6.2 x 5.3μm

TSV数量粗略估计;大约23000个

TSV工艺位置;在M10-M11之间(共15种金属,从M0开始)

我们暂时只能猜测AMD计划在其未来的结构中使用3D V-Cache,例如在不久的将来发布的Zen 4架构。这项新技术使AMD处理器在英特尔技术之上有了一个有利的飞跃,由于我们看到CPU核心数量每年都在增加,因此L3缓存的大小变得越来越重要。

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