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TSMC台积电是全球全球晶圆代工厂一哥,已经连续多年占据圆晶代工市场份额第一位置。2020年台积电在先进制程上的优势还会进一步加强,除了7nm供不应求之外,6nm及5nm工艺也会量产,以满足苹果、华为、高通等大客户需求。
由于半导体市场需求不足,台积电最近被传出将EUV光刻机关停一部分,类似的还有韩国半导体工厂,光刻机等设备也要热停机,开工率只有一半左右。韩国芯片公司DBHitek目前的产能利用率只有73.83%,较去年同期的的97.68%大降23%以上。除了热停机降低成本之外,韩国芯片工厂也跟台积电、联电、世界先进一样降价拉拢客户,代工厂已将8英寸晶圆服务降低了约10%,部分代工服务的价格降幅高达20%。
随着半导体工艺深入到5nm以下,制造难度与成本与日俱增,摩尔定律的物理极限大约在1nm左右,再往下就要面临严重的量子隧穿难题,导致晶体管失效。各大厂商的先进工艺在实际尺寸上都是有水分的,所以纸面意义上的1nm工艺还是会有的,台积电去年就组建团队研发1.4nm工艺,日前CEO刘德音又表示已经在探索比1.4nm更先进的工艺了。但是下一代EUV光刻机的代价也很高,售价会从目前1.5亿美元提升到4亿美元以上,最终价格可能还要涨,30亿一台设备很考验厂商的成本控制。
光罩薄膜是极紫外光刻工艺中的关键部件,指的是在光罩上展开一层薄膜,然后机器在上面绘制要在晶圆上压印的电路,以免光罩受空气中微尘或挥发性气体的污染,减少光掩模的损坏。光罩薄膜的供应商主要是荷兰ASML、日本三井化学和韩国SSTech,韩国的EUV薄膜一直被外部厂商垄断。有业内人士表示,三星推动EUV薄膜的开发,是为了更快的追赶上台积电。
Intel目前的12代、13代酷睿使用的还是Intel7工艺,明年的14代酷睿MeteorLake将首发Intel4工艺,这也是Intel首次使用EUV光刻的工艺,SRAM晶体管规模几乎接近台积电3nm工艺。日前Intel宣布了一个重要里程碑,首台EUV光刻机已经开机并产生13.5nm波长的光。坏消息是14代酷睿可能只有移动版,桌面版处理器在2023年会是RaptorLake-SRefresh,也就是13代酷睿马甲。
下半年以来的半导体行业调整,似乎并没有给台积电造成比较大的影响,其1~11月的累计收入同比增加了44.6%。DT分析师预计,因为明年上半年需求订单萎缩,一季度台积电的收入将遭遇10~15%的环比下滑。台积电三季度财报显示,5nm连同7nm是公司前两大销售业务来源,合计贡献了超过50%的营收。
涵盖先进的7纳米和更小产品的制造技术需要使用极紫外光刻机(EUV)在小范围内打印数十亿个微小电路,全球目前只有台积电、三星和英特尔公司在使用--芯片制造技术的进一步进步,涉及到电路尺寸的进一步缩小,将使芯片制造商难以继续使用这些机器...这些被称为高NA(数字孔径),台积电将在2024年收到它们...这些活动显示,截至该公司的目标是使其新技术比目前最新的3纳米技术提高10%至15%的性能;新技术还能降低25%至30%的功耗......
今年5月份,显卡市场实现了牛熊转换,由于矿卡市场崩盘,原本供不应求的显卡一下子没有那么的需求了,AMD及NVIDIA都在为显卡库存发愁,也直接导致了显卡价格一落千丈,现在大部分都跌破发行价了...这波清库存的时间要持续一两个季度,今年Q3季度的业绩也不会好转,此前还有消息称9月份随着以太坊2.0升级,矿卡会被彻底淘汰,显卡价格还要进一步崩盘呢...显卡卖不动,NVIDIA及AMD下订单自然也会受到影响,日前有爆料称他们两家,再加上今年同样遭遇需求下滑手机芯片厂商联发科及高通,四大客户都集体砍单台积电......
台积电今日(6月17日)在北美技术论坛上公布了新的制程路线图,定于2025年量产2nm工艺,其采用Nanosheet(纳米片电晶体)的微观结构,取代FinFET...台积电还雄心勃勃地提出,要在2025年前将成熟和专业化制程的产能提高50%,包括兴建更多的晶圆厂...台积电表示,计划在2024年引入ASML的新一代EUV极紫外光刻机...这款光刻机价值高达4亿美元(约合26亿元人民币),双层巴士大、重超200吨......
据路透社报道,台积电研发资深副总经理Y.J. Mii在台积电技术论坛上表示,公司将在 2024 年引进ASML高数值孔径极紫外光(high-NA EUV)光刻机...台积电研发高级副总裁Y.J. Mii在台积电硅谷技术研讨会上表示:「展望未来,台积电将在 2024 年引入 High-NA EUV光刻机,以开发客户所需的相关基础设施和图案化解决方案,并推动创新......
作为全球最大的晶圆代工厂,台积电在先进工艺及产能两方面都是NO.1优势,所以不愁订单,仅仅是EUV光刻机就拿下全球50%的份额,随着苹果A15、M1X、M2以及AMD Zen4芯片陆续量产,EUV产能也要爆发了。台积电从7nm开始使用EUV工艺,不过7nm EUV工艺产能较低,只有华为麒麟990大规模使用了,苹果A13还是7nm增强版工艺。从5nm工艺开始,台积电先进工艺全线使用EUV工艺,而且利用程度加深,明年还有3nm工艺,会进一步利用EUV光刻。由于EUV
在台积电 2021 线上技术研讨会期间,高级运营副总裁 YP Chin 披露了与该公司芯片制造能力相关的重要进展。据悉,目前台积电拥有全球将近一半的极紫外光刻(EUV)机器,并且承担了全球先进硅晶圆制程的半数以上产能。此外,YP Chin 还介绍了台积电的 3nm 和 2nm 制造设施,以及规划中的美国亚利桑那州园区的最新进展。会上,YP Chin 首先强调了台积电的先进制程产能有望保持 30% 的复合年增长率(CAGR),并且从 16nm 和 7nm 一路介
【TechWeb】5月19日消息,据国外媒体报道,本周一,外媒援引韩国产业通商资源部一份有关半导体产业发展战略文件报道称,光刻机制造商阿斯麦将投资2.12亿美元,在京畿道华城建设极紫外光刻机再制造厂和培训中心。在报道阿斯麦将在华城建设极紫外光刻机再制造厂和培训中心时,外媒还提到,虽然三星电子、SK海力士已引进了阿斯麦生产的极紫外光刻机,但他们获得的数量同台积电相比,有不小的差距。外媒在报道中提到,阿斯麦目前已生产
台积电是第一家将EUV(极紫外)光刻工艺商用到晶圆代工的企业,目前投产的工艺包括N7+、N6和N5三代。其中N7+即第二代7nm,EUV总计4层。即便如此,这也相较于多重曝光也节省了时间,提高了芯片
9月28日消息,据国外媒体报道,在8月份的全球技术论坛期间,台积电曾透露全球目前在运行的极紫外光刻机中,他们约有一半,产能则是预计占全球的60%。台积电是从第二代的7nm工艺开始采用极紫外光刻机的,7nm之后的工艺,就将全部极紫外光刻机,随着5nm工艺的大规模投产,他们对极紫外光刻机的需求也越来越大。而消息人士透露,台积电正在加快研发极紫外光刻机工艺,他们预计到明年年底,极紫外光刻机的累计采购量将达到
芯片制程已经推进到了7nm以下,这其中最关键的核心设备就要数EUV光刻机了,目前全世界只有荷兰ASML(阿斯麦)可以制造。来自Digitimes的报道称,台积电打算在2021年底前购置55台EUV光刻机,以
24日,台积电举办了第26届技术研讨会,并披露了旗下最新工艺制程情况。按照台积电的说法,5nm工艺规划了两代,分别是N5和N5P。其中N5确定引入EUV(极紫外光刻)技术,并且已经在大规模量产之
日前,中国国际半导体技术大会(CSTIC)在上海开幕,为期19天,本次会议重点是探讨先进制造和封装。其中,光刻机一哥ASML(阿斯麦)的研发副总裁Anthony Yen表示,EUV光刻工具是目前唯一能够处
2020年因为全球经济的问题,本来电子行业会下滑,但是晶圆代工场合不降反升,台积电Q1季度营收大涨了30%,牢牢坐稳了全球晶圆代工一哥的位置。由于华为、苹果等公司的7nm及5nm工艺需求大,台积电
台积电上周发布了3月及Q1季度财报,营收同比大涨了42%,淡季不淡。不过接下来的日子半导体行业可能不太好过了,ASML的EUV光刻机已经断货,要延期交付,好在台积电今年已经在5nm工艺上抢先三星了。
最近台积电7nm以及16/12nm产能吃紧频频上头条,原因就在于台积电在晶圆代工市场上太强了,7nm大规模量产仅此一家,苹果、华为、AMD都在抢着用,接下来他们就要抢5nm工艺了。
尽管 10 nm 以下芯片制造工艺的突破已经愈加艰难,但以台积电为代表的业内领先企业,并没有因此而放缓研发的步伐。该公司上周表示,其 3nm 工艺的开发进展顺利。目前看来,台积电已经摸清了道路,且已经开始接触早期客户。在面向投资者和金融分析师的电话会议上,台积电首席执行官兼联合主席 CC Wei 宣布了这一消息。
据 cnBeta 消息,在面向投资者和金融分析师的电话会议上,台积电首席执行官兼联合主席 CC Wei 宣布,其 3nm 工艺的开发进展顺利。目前,台积电已经摸清了道路,且已经开始接触早期客户。因 N3 技术仍处于早期开发阶段,台积电目前尚未谈及具体的特征、及其相较于 N5 的优势。
华为正在加快推出新一代麒麟芯片。据外媒最新报道,台积电目前已经开始批量生产麒麟985芯片,以满足交付日期。
日前台积电官方正式宣布,已经开始在量产中使用 7nm+EUV 极紫外光刻工艺。
在继台积电后,三星今天也宣布已经成功完成了 5nm EUV 开发,而相应的生产线正在建设,预计 2019 年下半年完成,明年可以开始投入使用。三星表示,5nm FinFET 工艺技术可以让芯片功耗降低 20%(相较于 7nm 工艺),性能提高了 10%,从而能够拥有更多创新的标准单元架构。
目前用于苹果A12/A12X、华为麒麟980、AMD Radeon VII的7nm工艺均由台积电代工,但只是第一代DUV(深紫外)制程。
2018年下半年,华为和苹果的旗舰机型便已经进入到了7nm时代,麒麟980和苹果A12处理器凭借着强劲的性能更是受到了诸多用户的喜爱。在2019年,搭载7nm工艺芯片的新品将会进一步爆发充斥整个市常近日,
Intel官方宣布,位于俄勒冈州的晶圆厂已经收到ASML发货的全球第一台高NAEUV极紫外光刻机,型号为TwinscanEXE:5000”,它将帮助Intel继续推进摩尔定律。Intel早在2018年就向ASML订购了这种新一代光刻机,将用于计划今年量产的Intel18A制造工艺,也就是1.8nm级别。新光刻机的价格估计至少3亿美元,甚至可能达到或超过4亿美元,也就是逼近人民币30亿元现有低NAEUV光刻机需要2亿美元左右。
随着制程工艺的进步,DRAM内存芯片也面临着CPU/GPU一样的微缩难题,解决办法就是上EUV光刻机,但是设备实在太贵,现在还要榨干DUV工艺最后一滴,DDR5内存有望实现单条1TB。作为第一家推出24Gb核心DDR5的内存公司,美光日前又创造了一个新纪录推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒,使用的是比前者1工艺更先进的1工艺,这也是美光最后的非EUV工艺了,再往后不想上EUV也没招了。显存GDDR路线上,2025年会推出GDDR7,频率32Gbps,核心容量16-24Gb,带宽128GB/s以上。