首页 > 关键词 > 极紫外光刻技术最新资讯
极紫外光刻技术

极紫外光刻技术

3月26日据oltnews援引日经新闻报道,三星电子本周三宣布,已经在首尔华盛市的一家DRAM工厂的一条生产线上部署了极紫外光刻技术(EUV),将精密内存芯片制造的生产率提高一倍。三星是第一个将这项技术用于大规模生产存储芯片的公司,这是 20 年来生产技术的首次重新设计。三星的竞争对手SK海力士计划2021年在DRAM生产线上安装EUV设备。...

特别声明:本页面标签名称与页面内容,系网站系统为资讯内容分类自动生成,仅提供资讯内容索引使用,旨在方便用户索引相关资讯报道。如标签名称涉及商标信息,请访问商标品牌官方了解详情,请勿以本站标签页面内容为参考信息,本站与可能出现的商标名称信息不存在任何关联关系,对本页面内容所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。站长之家将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性,但不保证有关资料的准确性及可靠性,读者在使用前请进一步核实,并对任何自主决定的行为负责。任何单位或个人认为本页面内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时,可及时向站长之家提出书面权利通知或不实情况说明,并提权属证明及详细侵权或不实情况证明(点击查看反馈联系地址)。本网站在收到上述反馈文件后,将会依法依规核实信息,第一时间沟通删除相关内容或断开相关链接。

网络媒体对“极紫外光刻技术”描述

微电子光刻技术

主流技术

摩尔定律的潜在救星

最有可能达到量产化要求的光刻技术

潜在的摩尔定律的救世主

目前国际上的研究热门之一

最有前途的光刻技术

搜索引擎对“极紫外光刻技术”的分析

  • 波长:
    软 X 射线
  • 核心:
    极紫外光刻光源
  • 特征线宽:
    70纳米
  • 光源:
    11~14 nm
  • 组成部分:
    极紫外光源

网友给“极紫外光刻技术”贴的标签

  • 光刻技术
  • 技术
  • 光源
  • 曝光光源
  • 光刻机

网络媒体对“极紫外光刻”描述

三星领先的下一代制造工艺的关键推动因素

使用极紫外(EUV)波长的下一代光刻技术

传统光刻技术的拓展

备受众多企业关注的光刻技术之一

应用于现代集成电路制造的光刻技术

投影光刻技术

最具潜力的下一代光刻技术

目前能力最强且最成熟的技术

下一代光刻技术

搜索引擎对“极紫外光刻”的分析

  • 也称:
    EUV
  • 波长:
    10-14纳米
  • 常称作:
    EUV光刻
  • 分辨率:
    30nm以下
  • 英语:
    Extreme ultra-violet
  • 来自于:
    ASML

网友给“极紫外光刻”贴的标签

  • 公司
  • 工艺
  • 生产工具
  • 生产工艺
  • 光刻胶

与“极紫外光刻技术”的相关热搜词:

相关“极紫外光刻技术” 的资讯11篇

  • 三星已经部署极紫外光刻技术生产存储芯片

    3月26日据oltnews援引日经新闻报道,三星电子本周三宣布,已经在首尔华盛市的一家DRAM工厂的一条生产线上部署了极紫外光刻技术(EUV),将精密内存芯片制造的生产率提高一倍。三星是第一个将这项技术用于大规模生产存储芯片的公司,这是 20 年来生产技术的首次重新设计。三星的竞争对手SK海力士计划2021年在DRAM生产线上安装EUV设备。

  • 3 亿美元能造1.8nm!Intel收到全球第一台高NA EUV极紫外光刻机

    Intel官方宣布,位于俄勒冈州的晶圆厂已经收到ASML发货的全球第一台高NAEUV极紫外光刻机,型号为TwinscanEXE:5000”,它将帮助Intel继续推进摩尔定律。Intel早在2018年就向ASML订购了这种新一代光刻机,将用于计划今年量产的Intel18A制造工艺,也就是1.8nm级别。新光刻机的价格估计至少3亿美元,甚至可能达到或超过4亿美元,也就是逼近人民币30亿元现有低NAEUV光刻机需要2亿美元左右。

  • 单价翻番到26亿!ASML:所有EUV客户均订购了下一代高NA极紫外光刻机

    ASML(荷兰阿斯麦)正抓紧研制其下一代高NA(0.55数值孔径)的EUV极紫外光刻机,在发布最新财报期间,AMSL透露,其存量EUV客户均订购了新一代设备...韩国设备商透露,现款EUV光刻机的订货价是2000~3000亿韩元(约合10~16亿元人民币),而高NAEUV光刻机的报价翻番到了5000亿韩元(约合26亿元)...在三季度财报中,ASML完成58亿欧元的净销售额,毛利率51.8%、净利润17亿欧元,公司预计四季度净销售额在61~66亿欧元之间......

  • 美光科技计划2024年开始安装极紫外光刻机

    【TechWeb】10月22日消息,据国外媒体报道,已顺利量产7nm、5nm芯片制程工艺的台积电和三星电子,已采购了大量的极紫外光刻机,用于为相关的厂商代工芯片。而除了台积电、三星电子等芯片代工商,存储芯片制造商也已采购或计划采购极紫外光刻机。年初就曾有外媒报道,SK海力士新建成的M16工厂,就已安装了极紫外光刻机。英文媒体的报道显示,美光科技也已计划采购极紫外光刻机。美光科技计划采购极紫外光刻机,是美光科技负责全球运

  • 9.38亿元!ASML第一台全新EUV极紫外光刻机交付

    作为全球第一光刻机供应商,荷兰ASML(阿斯麦)今天公布了2021年第二季度财报。当季,ASML净销售额40亿欧元,毛利率50.9%,净收入10亿欧元,净预订额83亿欧元,其中EUV极紫外光刻机就有49亿欧元,而总的积压订单金额已达175亿欧元。ASML在财报中还披露,第一台全新TWINSCAN NXE:3600D EUV光刻机系统已经交付给客户,相比之前的NXE:3400C生产力提高了15-20%,覆盖率(套刻精度)提高了约30%。不过,ASML未透露接收客户是哪一家。AS

  • 外媒:阿斯麦已生产的极紫外光刻机 70%卖给了台积电

    【TechWeb】5月19日消息,据国外媒体报道,本周一,外媒援引韩国产业通商资源部一份有关半导体产业发展战略文件报道称,光刻机制造商阿斯麦将投资2.12亿美元,在京畿道华城建设极紫外光刻机再制造厂和培训中心。在报道阿斯麦将在华城建设极紫外光刻机再制造厂和培训中心时,外媒还提到,虽然三星电子、SK海力士已引进了阿斯麦生产的极紫外光刻机,但他们获得的数量同台积电相比,有不小的差距。外媒在报道中提到,阿斯麦目前已生产

  • 台积电预计极紫外光刻机累计采购量在明年将超过50台

    9月28日消息,据国外媒体报道,在8月份的全球技术论坛期间,台积电曾透露全球目前在运行的极紫外光刻机中,他们约有一半,产能则是预计占全球的60%。台积电是从第二代的7nm工艺开始采用极紫外光刻机的,7nm之后的工艺,就将全部极紫外光刻机,随着5nm工艺的大规模投产,他们对极紫外光刻机的需求也越来越大。而消息人士透露,台积电正在加快研发极紫外光刻机工艺,他们预计到明年年底,极紫外光刻机的累计采购量将达到

  • 台积电预计 6 月将英伟达 AI 加速计算光刻技术导入 2 纳米试产

    在日前举行的英伟达+GPU+技术大会上,英伟达公布了其在计算光刻技术方面的突破。新的+Nvidia+cuLitho+软件库将加速计算引入了计算光刻领域,使半导体公司能够在这一领域取得突破。从长远来看,cuLitho+将实现更好的设计规则、更高的密度、更高的产量和+AI+驱动的光刻技术。

  • 华为公布有关EUV光刻技术的新专利

    在集成电路制造中,光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节,决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量,是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进,极紫外光刻成为首选的光刻技术。该专利申请提供一种反射镜、光刻装置及其控制方法,涉及光学领域,能够解决相干光因形成固定的干涉图样无法匀光的问题,在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化,进达到匀光的目的,进解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样无法匀光的问题。

  • 中科院:计算光刻技术取得重大进展

    中国科学院官网刊文称,上海光机所在计算光刻技术研究方面取得重要进展。近日,中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边(Virtual Edge)与双采样率像素化掩模图形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光学邻近效应修正技术(Optical proximity correction, OPC)。仿真结果表明,该技术具有较高的修正效率。光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一,光刻分辨率决定集成电路的特

  • 三星宣布7nm LPP量产!基于EUV光刻技术、性能增加20%

    10月18日早间消息,三星官方宣布,已经开始进行7nm LPP(Low Power Plus)工艺芯片的量产工作。