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HBM2

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根据最新曝料,NVIDIA正在准备120GBHBM2e显存版的H100计算卡,PCIe形态,显存带宽还是高达3TB/s...GH100核心采用台积电4nm工艺制造,集成800亿个晶体管,核心面积814平方毫米,内部集成了多达18432个CUDA核心、576个Tensor核心、60MB二级缓存,分为144个SM单元,另有12个512-bit显存控制器,总位宽6144-bit.........

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  • 传英伟达正在开发120GB HBM2e显存的Hopper H100 PCIe加速卡

    近日有消息称,英伟达正在开发一款 Hopper H100 PCIe 加速卡,特点是具有高达 120GB 的 HBM2e 显存...每组 SM 单元最多由 128 个 FP32 单元,那样满血版应该是 18432 个 CUDA 核心...● 每组 SM 单元拥有 128 个 FP32 CUDA 核心,每颗 GPU 拥有 18432 个 FP32 CUDA 核心...● 每组 SM 单元拥有 128 个 FP32 CUDA 核心,每颗 GPU 拥有 16896 个 FP32 CUDA 核心......

  • 英特尔Sapphire Rapids-SP跑分流出 HBM2E缓存难敌AMD EPYC Milan-X

    @结城安穗-YuuKi_AnS 刚刚分享了英特尔至强(Xeon)可扩展 Sapphire Rapids 处理器的一组跑分数据。尴尬的是,即使封装了 HBM2E 高带宽缓存的高端 HPC 型号,都未能将 AMD 当前一代 Zen 3 霄龙(EPYC)Milan-X 竞品扫落马下。作为参考,测试对比的 64C / 128T 的 Milan-X 服务器 CPU,也带有堆叠的 3D V-Cache 缓存。本次泄露的跑分,涉及两款工程样品 —— 分别是 52C / 104T 的至强铂金 8472C,以及 60C / 120T 的 8490H 。除了最简单的 CPU-Z 单 / 多核跑分,@结城安穗-YuuKi_AnS 还分享了阔内核扩展的 V-ray 基准测试项目。然后 Toms

  • AMD发布6nm MI210计算卡:64GB HBM2e显存、300W功耗

    MI200回归单芯封装,规格、性能几乎完全就是MI250砍去一半:291亿个晶体管,104组计算单元,6656个流处理器核心,416个矩阵核心,4096-bit 64GB HBM2e显存,三条Infinity Link互连总线......

  • AMD Instinct MI210细节公布:具有104个计算单元和64GB HBM2e显存

    AMD即将发布更多的Instinct MI200系列计算加速卡,基于其全新的Aldebaran CDNA 2GPU架构,主要用于HPC领域。最新公布的消息是Instinct MI210,它将采用单一的Aldebaran CDNA 2GPU计算芯片,拥有6656个内核和64GB HBM2E内存。通过Instinct MI250X和MI250,AMD将MCM技术带到了数据中心和HPC领域。基于其新的CDNA 2架构,新的Aldebaran GPU能够进一步缓解HPC和数据中心的工作负载,但还有更多的MI200系列显卡即将面世,MI210就是其中?

  • 英特尔SPR处理器配备64GB HBM2e、Ponte Vecchio拥有408MB L2缓存

    在一年一度的超算大会上,高性能计算行业的许多参与者都在积极讨论硬件、安装、以及设计等方面的最新进展。期间,芯片巨头英特尔也展示了自家的硬件,并披露了有关下一代 Aurora Exascale 超算的诸多细节。起初,Aurora 计划采用英特尔的 10nm 至强(Xeon)融核(Phi)平台,但随着技术的飞速发展,后续该项目也经历了多次推倒重来。几年前最终敲定的方案,为 Aurora 选用了英特尔 Sapphire Rapids 处理器,特点是配备 HBM2e 高带?

  • AMD Instinct MI250X/MI250计算卡曝光:128GB HBM2e、500W TDP

    AMD CEO苏姿丰博士此前曾进口确认,会在明年发布基于下一代架构的全新计算卡,但未透露更多细节。一直以来不断有曝料称,AMD CDNA2架构的全新计算卡代号Aldebaran(毕宿五),将命名为Instinct MI200,会采用MCM双芯整合封装设计。根据大神@ExecutableFix的最新情报,AMD全新计算卡将有两款,分别叫Instinct MI250X、Instinct MI250,都基于Aldebaran GPU。其中,MI250X将集成110个CU计算单元,并集成创记录的128GB HBM2e显存。这不?

  • AMD专业挖矿卡曝光:豪华HBM2显存、算力超RTX 3070

    前不久刚刚表态对挖矿业务没有什么兴趣的AMD,私底下已经在暗度陈仓”了?爆料好手贴出的图片显示,基于7nm Navi 12核心打造的AMD BC-160矿卡现身,讯景设计,外形比较简约素雅。此前Navi 12核心被用于笔记本平台的Radeon Pro 5600M显卡,其集成2560颗流处理器。而BC-160则配备2304个流处理器,辅以8GB HBM2显存,走PCIe 4.0 x16插槽。算力方面,150瓦功耗下以太坊算力69.5MH/s,直接把RX 6900 XT也超了,主流显卡中仅次于RTX 3080

  • 英伟达发布具有80GB HBM2E大容量缓存的双槽A100 PCIe加速卡

    在 ISC 2021 活动期间,我们于英伟达晒出的诸多展品中,发现了一款 A100 加速卡的更新版本。其实早在去年 11 月,我们就已经见到过拥有 80GB HBM2E 缓存的 A100 加速卡。不过当时,英伟达仅提供了 SXM2 的专有外形版本。而现在,该公司终于推出了采用标准双 PCIe 插槽、辅以 80GB HBM2E 缓存的 A100 加速卡。(图 via VideoCardz)TechPowerUp 指出,该 SKU 采用了基于台积电 7nm 工艺制造的 GA100 GPU SKU,具有 6192 个 CUDA 核?

  • 英伟达升级Ampere A100加速器 配备80GB HBM2e内存

    英伟达可能正在升级Ampere A100 GPU。现有的NVIDIA A100 HPC加速器是在去年6月推出的,看起来英伟达正计划给它进行重大规格升级。该芯片基于英伟达最大的安培GPU - A100,其尺寸为826平方毫米,容纳了540亿个晶体管,令人难以置信。在规格方面,A100 PCIe GPU加速器在核心配置方面没有什么变化。GA100 GPU保留了我们在250W版本上看到的规格,有6912个CUDA核心,排列在108个SM单元中,432个张量核心,但是内存升级到80GB HBM2e内存?

  • 80GB HBM2e显存:NVIDIA A100 PCIe加速卡下周升级

    消息称,NVIDIA将在下周发布新款PCIe版本的A100加速计算卡,显存容量从40GB翻番到80GB,类型也从HBM2升级为HBM2e。NVIDIA A100加速卡诞生于去年3月,采用全新Ampere安培架构的超大核心GA100,7nm工艺,542亿晶体管,826平方毫米面积,6912个核心,搭载5120-bit 40GB HBM2显存,带宽1.6TB/s,外形规格分为专用的SMX4、通用的PCIe两种样式,前者支持更多GPU互连。去年11月,A100 SMX4版本升级为80GB HBM2e显存,加上频率提升到3.2GHz

  • Intel Xe HP顶级加速卡首次曝光:7680核心、32GB HBM2E显存

    我们知道,Intel重返独立显卡市场的Xe GPU架构分为四种不同级别,从低到高分别是Xe LP、Xe HPG、Xe HP、Xe HPC,覆盖从轻薄本到高性能计算等各种领域。如果说相当于核显级别的Xe LP只是牛刀小试,Xe HPG就是游戏玩家的期待,Xe HP、Xe HPC则是高端计算的利器。现在,我们第一次看到了Xe HP架构的加速卡,规格很残暴,而且还有更残暴的。Xe HP加速卡代号Arctic Sound,采用一种名为Tile”的模块化堆积设计方式(类似chiplets小芯片)?

  • AMD发布苹果定制版Radeon Pro 5600M:Navi核心首次集成HBM2显存

    AMD刚刚发布了一款新的Radeon Pro 5600M移动版显卡,和之前的Radeon Pro 5300M/5500M一样,也是专门为苹果的16英寸MacBook Pro笔记本定制,但是性能更强。Radeon Pro 5600M采用了7nm工艺、R

  • AMD确认Vega显卡本季度发布 HBM2显存正式登台!

    在和Twitter粉丝互动的过程中,AMD官宣了Vega显卡的发布时间,称将会在本季度正式发布,也就是说最晚6月份发布。

  • 三星发布全新内存芯片HBM3E12H,AI性能再创新高

    三星电子于周二宣布研发出一款全新高带宽内存芯片,被誉为行业内“容量最大”产品。这款名为HBM3E12H的芯片据称“性能和容量均提升超过50%”。”最后,三星电子强调该内存芯片的未来发展前景,并计划于2024年上半年开始量产。

  • 台积电和SK海力士联手联合生产HBM4:对抗三星

    HBM4内存带来的升级之一,就是采用了2048位接口,从实现更高的带宽,这也是HBM4内存最大的变化,不过唯一的问题就是成本较高,与消费者无缘,但也可以说是HPC、AI领域的专属。据韩国《每日经济新闻》报道,台积电和SK海力士已成立所谓的AI半导体联盟。HBM类产品前后经过了HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E的开发,其中HBM3E是HBM3的扩展版本HBM4将是第六代产品。

  • NVIDIA斥巨资 向SK海力士、美光预购大量HBM3E内存

    韩国ChosunBiz近日报道,NVIDIA已经向SK海力士、镁光,交付了700亿至1万亿韩元的预付款,业内预计了这笔款项在10.8亿美元到15.4亿美元之间。虽然没有说明具体用途,但业界普遍认为,NVIDIA是为了确保2024年HBM供应稳定,避免新一代AI、HPCGPU因为发布后库存不足掉链子。毕竟在NVIDIA在AI、HPC领域遥遥领先,这也是为什么需要大量HBM内存,来确保H200GPU、以及GH200超级芯片的产品供应。

  • 调协大模型时代存算矛盾的HBM,如何入局其中寻找机会?

    HBM的热度不可谓不高,无论是相关半导体大厂“激进”扩产的计划是产品供不应求的消息,都将这个内存领域的“新”技术,推到了资本市场与相关投资者的眼前。在相关大厂的扩产方面,两大存储芯片巨头持续加码:三星、SK海力士拟将HBM产量提高至2.5倍的消息曝出,使得HBM概念股倍受市场关注。参考资料:1.《HBM很贵,但你必须买!》,芯长征科技;2.《GDDR6vsDDR4vsHBM2?为什么CPU还�

  • 亚马逊的 Trainium2 AI 芯片配备 96GB HBM,训练性能提高四倍

    本周,亚马逊网络服务推出了其新的人工智能加速器芯片Trainium2,相比其前身,它显著提升了性能,使AWS能够训练具有高达数万亿参数的基础模型和大型语言模型。AWS还为自己设定了一个宏伟目标,即使其客户能够为他们的工作负载访问高达65AIExaFLOPS的性能。我们与AWS的合作将帮助各种规模的组织解锁新的可能性,因为它们使用Anthropic的最先进AI系统与AWS的安全可靠云技术结合。

  • 第五代HBM3e内存来了!三大存储巨头集体向英伟达供货:2024年第一季度完成验证

    据TrendForce集邦咨询最新HBM市场研究显示,为了更妥善且健全的供应链管理,英伟达也规划加入更多的HBM供应商。三星的HBM3预期于今年12月在NVIDIA完成验证。在HBM4中,将首次看到最底层的Logicdie将首次采用采用12nm制程晶圆,该部分将由晶圆代工厂提供,使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。

  • 三星电子确认第五代 HBM3E 产品命名为「Shinebolt」:为下一代 AI GPU 铺平道路

    HBM3e在行业中的意义是巨大的,因为它将为下一代AIGPU铺平道路这对于实现高计算性能至关重要。据BusinessKorea报道,三星电子已确认将其第五代HBM3E产品命名为「Shinebolt」。我们将进一步扩大生产以为客户提供定制HBM。

  • 英伟达 Blackwell B100 GPU 或将采用 SK 海力士 HBM3e DRAM:因人工智能需求快速增长提前到 2024 年第二季度推出

    由于人工智能需求的大幅增加,英伟达计划将其下一代BlackwellB100GPU的发布日期从2024年第四季度提前到2024年第二季度。该公司预计将使用SK海力士的HBM3eDRAM来驱动其最新的芯片。这表明英伟达正在加快其AIGPU的步伐,希望在未来几年继续保持领先地位。

  • 三星计划 2025 年推出第六代高性能 HBM4 DRAM:争夺快速增长的 AI 芯片领域的主导地位

    三星电子周三发布的初步财报显示,第三季度营业利润同比下降77.9%,原因是全球芯片供应持续过剩的影响导致其芯片业务出现亏损。该公司将于本月晚些时候发布第三季度正式财报。「我们开创了AI内存芯片市场,大规模生产了第二到第四代HBM产品。

  • 24GB HBM3E内存明年初交付:NVIDIA疯狂堆料282GB!

    将在明年初大批量出货交付HBM3E高带宽内存,首要客户就是NVIDIA。NVIDIAA100/H100计算卡热卖,对于HBM的需求也空前高涨,动辄单卡几十GB,最近宣布的GraceHopper超级芯片,双路系统就需要282GBHBM3E。美光还将在明年初出货32GBDDR5颗粒,可以轻松做成单条桌面32GB、服务器128GB,甚至能达成单条1TB。

  • SK 海力士和三星对 HBM 领先地位的竞争随着人工智能的蓬勃发展而升级

    在第二季度,长期处于落后地位的SK海力士凭借高价值和高性能的内存HBM产品销售火爆,使其与全球内存领导者三星电子的市场份额差距缩小至6.3个百分点,自2009年以来最小的差距。根据全球科技产业跟踪机构Omdia周日公布的数据,SK海力士在4月至6月期间DRAM销售额达34亿美元,比上季度飙升49%。该DDR5具有比以前型号高10%的高电能效率。

  • 温度直降100多度 HBM内存也要用上低温焊了:产能大增

    随着AI市场的爆发,不仅CPU、GPU算力被带动了,HBM内存也成为香饽饽有2.5D、3D封装技术,但是它们的产能之前很受限制,除了成本高,焊接工艺复杂也是问题。芯片焊接目前主要采用高温焊,焊料主要是SAC锡、银、铜材质,熔点超过250℃,这个温度的焊接技术对大部分芯片来说没问题,但HBM内存使用了TSV硅通孔技术,这样的高温焊接就有可能导致变形。三星、SK海力士等公司正在扩大HBM内存的生产,这种低温焊技术很快也会得到大面积使用。

  • 英伟达为 GH200 超级芯片带来 HBM3e 解决生成式人工智能瓶颈

    不到一年时间,生成式人工智能已经成为企业计算的主导影响力,因此处理器创新也需要快速推进。英伟达在宣布其新的GH200超级芯片不到三个月后,已经对GH200进行了「提升」。新版本与5月份在Computex上发布的NVIDIAMGX服务器规范完全兼容,这意味着制造商可以轻松地将其添加到许多不同的服务器版本中。

  • 三星电子仍保持第一季度存储芯片市场领先地位 押注 HBM 人工智能芯片

    根据一份报告,尽管芯片供应过剩,三星电子在一季度仍然保持全球内存芯片市场的领先地位SK海力士公司从去年的第二名下降到第三名,主要是因为它在三星之前削减产量。三星电子在DRAM市场占有42.8%的份额,与上一季度持平。HBM芯片适用于高性能计算系统,如人工智能驱动的数据分析和先进的图形系统。

  • TrendForce:新型 AI 加速芯片助力 HBM3 和 HBM3e 主导 2024 年市场

    2023年HBM市场的主导产品是HBM2e,该产品由英伟达A100/A800、AMDMI200以及大多数云服务提供商的自主开发的加速器芯片所采用。随着对AI加速器芯片需求的不断发展,制造商计划在2024年推出新的HBM3e产品,预计HBM3和HBM3e将成为明年市场的主流。

  • 三星电子将为英伟达最新的人工智能芯片 H100 提供 HBM3 和封装服务

    据韩国经济日报消息,存储芯片制造商三星电子将为英伟达公司提供高性能半导体和封装服务,有望在其它大型科技公司中赢得订单。根据周二首尔的行业消息,三星和英伟达正在对 HBM3 芯片进行技术验证和封装服务。一旦完成工作,预计三星将负责封装 H100,英伟达最新的人工智能 GPU,同时为处理器供应 HBM3 芯片。