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三星量产1TB存储芯片 1000MB/s读取三星S10或首发

2019-01-31 07:21 · 稿源: 手机中国

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近日三星正式宣布量产首款1TBeUFS2.1闪存芯片,该芯片的读取速度高达1000MB/s,写入速度也高达260MB/s,芯片尺寸却与此前512GB的闪存完全相同...

芯片读取速度高达1000MB/s...

有消息显示,这款1TB的闪存芯片将在三星S10系列上首发...

......

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