三星28nmFD-SOI开始投产:功耗降一半

2015-12-25 12:51 稿源:快科技  0条评论

前两天,快科技曾报道,华人科学家胡正明教授刚刚被美国总统奥巴马授予2015年全美最高技术奖。作为半导体业界的翘楚,他在采访中谈到,在25nm看到尽头时美国政府曾向业界征集方案,胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI(FD-SOI),前者我们很熟悉,后者的中文名称是“全耗尽绝缘硅”。

从技术上比较简单的区分就是,FinFET是立体型晶体管,而FD-SOI仍是平面型。

虽然1Xnm已经进入消费领域,但是20nm远没有要到退出市场的地步,还有大量的产品需求。

据外媒报道,三星LSI业务总监Kelvin Low称,他们和意法半导体合研的28nm FD-SOI已经开始投产,法国半导体公司Soitec SA提供SOI基底材料。

FD-SOI最大的亮点在于超低功耗,尤其是对比HKMG(后闸极,约50%+),如今物联网(IoT)、汽车等嵌入开发对芯片的这一特性非常敏感,ST、飞思卡尔等都明确表态支持且等待排片。

当然,值得一提的是三星的“好基友”GlobalFoundries,他们在7月份全球首发了22nm FD-SOI,电压做到了业界最低的0.4V,领先三星一年。

GF现在境遇不佳,屡屡被传出收购,如果明年22nm FD-SOI供货不理想,三星很有可能直接发怒当“接盘侠”。

有好的文章希望站长之家帮助分享推广,猛戳这里我要投稿

相关文章

相关热点

查看更多