三星量产全球首个单条128GBDDR4内存:还是3D的

2015-11-26 16:47 稿源:快科技  2条评论

2014年8月底,三星电子宣布量产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条,单条容量高达64GB。一年多后,三星将这一容量翻了一番,开始量产128GB TSV DDR4内存条。新内存依然是面向企业级服务器市场的RDIMM类型条子,使用了多达144颗DDR4内芯片,每一颗容量8Gb(1GB),然后每四颗芯片利用TSV技术紧密封装在一起,总计36个组,分布在内存条两侧。

制造工艺是三星最先进的20nm,起步频率2400MHz,接下来将逐步提升到2667MHz、3200MHz。

另外,三星还会把TSV硅穿孔技术应用到HBM高带宽内存中。

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