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三星宣布已大规模生产512GB eUFS 3.1闪存 写入速度比上一代快3倍

2020-03-17 11:43 · 稿源:站长之家

站长之家(ChinaZ.com) 3月17日 消息:据外媒报道,三星电子宣布该公司已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存(eUFS) 3.1。

据介绍,这款新的闪存写入速度是之前的512GB eUFS 3. 0 的三倍,达到每秒1200 MB。新版串行读取速度为2100 MB / s,随机读取和写入速度分别为100,000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70,000 IOPS。

三星称,与使用固态硬盘或MicroSD卡的传统个人电脑相比,这将大大加快智能手机的数据传输速度。此外,三星的eUFS 3. 1 系列也将有256GB和128GB的容量。

这家韩国科技巨头还表示,其平泽工厂的P1 生产线已经开始生产六代V-NAND。与此同时,其位于中国西安工厂的新X2 生产线已经开始生产五代V-NAND。

三星在 2017 年底开始大规模生产512GB闪存,并从 2018 年开始为智能手机提供这款产品。(zdnet

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